一种3D NAND存储器件的制造方法技术

本申请提供一种3D NAND存储器件的制造方法，在对沟道孔侧壁的氮化硅层进行氧化时，首先在第一温度下进行氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第一氧化膜，之后再在第二温度下继续进行氧化，由于第一氧化膜对含氧化合物的消耗较少，使得含氧化合物能够较均匀的分布在沟道孔内部，因此氮化硅层在高温下也能继续进行均匀的氧化，得到沟道孔的顶部和底部氧化较为均匀的第二氧化膜。由此可见，本申请实施例的方法能够解决在3D NAND存储器件制造过程中沟道孔的顶部反应过快而底部反应较慢，导致顶部的氧化硅较厚而底部氧化硅较薄的问题，制造得到可靠性高的器件。

【技术实现步骤摘要】
一种3DNAND存储器件的制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种3DNAND存储器件的制造方法。
技术介绍
在3DNAND器件中，采用垂直堆叠多层存储单元的方式，实现堆叠式的3DNAND存储器件。具体的，可以先形成沟道孔(Channelhole)，而后在沟道孔侧壁形成存储功能层，存储功能层可以包括氧化硅、氮化硅、氧化硅层构成的叠层(Oxide-Nitride-Oxide，ONO层)，其中，朝向沟道孔侧壁的氧化硅层作为阻挡层，隔离牺牲层和衬底，从而防止后续电极与衬底之间形成导通，氮化硅层作为电荷存储层，远离沟道孔侧壁的氧化硅层作为电荷存储层和沟道层之间的隧穿(Tunneling)层。存储功能层是器件中的重要膜层，其质量直接影响器件性能，因此得到高质量的存储功能层极为重要。存储功能层中的氧化硅可以通过热氧化氮化硅的方式形成，然而随着3DNAND器件堆叠层数的增加，沟道孔的深宽比(aspectratio，AR)也随之提升，导致沟道孔的顶部反应过快而底部反应较慢，从而顶部的氧化硅较厚而底部氧化硅较薄，不利于得到可靠性高的器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔侧壁上形成有氮化硅层；/n在第一温度下对所述氮化硅层进行第一氧化工艺，以形成第一氧化膜；/n在第二温度下对所述氮化硅层进行第二氧化工艺，以形成第二氧化膜，所述第二温度高于所述第一温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔侧壁上形成有氮化硅层；
在第一温度下对所述氮化硅层进行第一氧化工艺，以形成第一氧化膜；
在第二温度下对所述氮化硅层进行第二氧化工艺，以形成第二氧化膜，所述第二温度高于所述第一温度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度的范围为600-650℃，所述第二温度范围为700-800℃。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一氧化工艺包括多个第一子氧化工艺，所述多个第一子氧化工艺对应多个第一温度，所述在第一温度下对所述氮化硅层进行第一氧化工艺，包括：
依次在多个第一温度下对所述氮化硅层进行多个第一子氧化工艺；
和/或，
所述第二氧化工艺包括多个第二子氧化工艺，所述多个第二子氧化工艺对应多个第二温度，所述在第二温度下对所述氮化硅层进行第二氧化工艺，包括：
依次在多个第二温度下对所述氮化硅层进行多个第二子氧化工艺。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进行所述第一氧化工艺的所述第一温度包括610℃，进行所述第二氧化工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈保家，吴保润，刘小辉，於成星，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42