【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器件及其制造方法
概括地说，本公开内容涉及半导体制造
，具体地说，涉及存储器件及其制造方法。
技术介绍
随着平面闪存的发展，半导体电子器件的生产过程已经取得了巨大的进步。然而，在近年来，平面闪存的继续发展遭遇了许多挑战，诸如物理限制、现有光刻技术限制、存储电子密度限制等。在该上下文中，为了解决平面闪存遇到的困难，以及追求更低的每存储单元生产成本，包括3D或非(NOR)和3D与非(NAND)的各种三维(3D)闪存结构已经出现。在NOR型结构的3D闪存中，在位线与地线之间并行地布置存储单元，而在NAND型结构的3D闪存中，在位线与地线之间串行地布置存储单元。具有串联结构的NAND闪存具有较低的读速度，单具有较高的写速度和擦除速度。因此，NAND闪存适于存储数据。另外，对于数据存储，NAND闪存还展现许多优点，诸如小的单元大小和大的存储容量。一个3DNAND闪存包括多个存储阵列结构，其中，每个存储阵列结构包括布置在3D阵列中的多个存储单元。3DNAND闪存进一步包括用于在不同层处产生去往存储单元的电连接的...
【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：/n衬底；/n堆叠结构，其包括交替地布置在所述衬底上的多个第一电介质层和多个电极层，其中：/n在关于所述衬底的第一横向方向上，所述存储器件包括阵列区和布置在所述阵列区之间的中间区，以及/n在关于所述衬底的第二横向方向上，所述堆叠结构包括各自包括壁结构区的第一块存储区和第二块存储区，其中，在所述中间区中，/n所述第一块存储区和所述第二块存储区的壁结构区被阶梯结构隔开；/n束结构，其位于所述中间区中，以及包括各自沿所述第二横向方向延伸并且连接所述第一块存储区和所述第二块存储区的所述壁结构区的至少多个分立的第一束结构；以及/n多个第二电介质层，其位于所述束...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器件，包括：
衬底；
堆叠结构，其包括交替地布置在所述衬底上的多个第一电介质层和多个电极层，其中：
在关于所述衬底的第一横向方向上，所述存储器件包括阵列区和布置在所述阵列区之间的中间区，以及
在关于所述衬底的第二横向方向上，所述堆叠结构包括各自包括壁结构区的第一块存储区和第二块存储区，其中，在所述中间区中，
所述第一块存储区和所述第二块存储区的壁结构区被阶梯结构隔开；
束结构，其位于所述中间区中，以及包括各自沿所述第二横向方向延伸并且连接所述第一块存储区和所述第二块存储区的所述壁结构区的至少多个分立的第一束结构；以及
多个第二电介质层，其位于所述束结构中，其中，在所述多个分立的第一束结构中，所述多个第二电介质层是与所述多个第一电介质层交替的。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中：
所述束结构还包括第二束结构，所述第二束结构被安排为跨所述第一块存储区和所述第二块存储区，以及在所述第一横向方向上延伸穿过所述中间区，其中：
在所述第二束结构中，所述多个第二电介质层是与所述多个第一电介质层交替的。
3.根据权利要求2所述的存储器件，还包括：
第一隔离结构，其是沿所述第一横向方向在所述中间区的每一侧上垂直地穿过所述堆叠结构并且沿所述第二横向方向在所述第一块存储区与所述第二块存储区之间形成的。
4.根据权利要求3所述的存储器件，其中：
所述第一隔离结构是由二氧化硅制成的。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的存储器件，其中：
沿所述第一横向方向，所述阶梯结构包括多个子阶梯结构，以及相邻的子阶梯结构被所述多个分立的第一束结构中的一个第一束结构隔开。
6.根据权利要求5所述的存储器件，还包括：
第一分隔结构，其是垂直地穿过所述堆叠结构形成的，以及沿所述第一横向方向位于每个阵列区中的所述第一块存储区与所述第二块存储区之间。
7.根据权利要求6所述的存储器件，其中：
所述第一块存储区包括与所述第二块存储区相对的第一边缘，以及所述第二块存储区包括与所述第一块存储区相对的第二边缘；以及
所述存储器件还包括形成在所述第一边缘和所述第二边缘中的每项上并且延伸穿过所述阵列区和所述阶梯区的第二分隔结构。
8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述第一块存储区和所述第二块存储区中的每项还包括：
沿所述第一横向方向延伸的多个指存储区，其中：
在所述第二横向方向上，所述第一块存储区的所述多个指存储区和所述第二块存储区的所述多个指存储区位于其间。
9.根据权利要求8所述的存储器件，还包括：
形成在所述第一块存储区和所述第二块存储区中的每项内的并且位于所述壁结构区与相邻的指存储区之间的多个第三分隔结构，其中：
在所述第一块存储区或者所述第二块存储区的每个阵列区中，第三分隔结构延伸穿过所述阵列区；以及
在所述第一块存储区或者所述第二块存储区的所述中间区中，第三分隔结构被安排在靠近所述壁结构区的每个子阶梯结构的边缘处，其中，所述第三分隔结构的长度短于或者等于所述子阶梯结构的宽度。
10.根据权利要求9所述的存储器件，其中：
在所述第一块存储区或者所述第二块存储区内，每个子阶梯结构包括形成在与所述壁结构区相邻的指存储区中的多个台阶；以及
所述存储器件还包括：形成在与所述壁结构区相邻的所述指存储区中的用于电连接所述多个台阶的多个字线触点。
11.根据权利要求9所述的存储器件，还包括：
形成在所述第一块存储区和所述第二块存储区中的每项内并且位于相邻的指存储区之间的多个第四分隔结构，其中：
在所述第一块存储区或者所述第二块存储区的的每个阵列区中，第四分隔结构延伸穿过所述阵列区；以及
在所述第一块存储区或者所述第二块存储区的所述中间区中，并且在相邻的指存储区之间，第四分隔结构被安排在每个子阶梯结构中，其中，所述第四分隔结构的长度短于或者等于所述子阶梯结构的宽度。
12.根据权利要求11所述的存储器件，其中：
在所述第一块存储区或者所述第二块存储区内，每个子阶梯结构包括形成在所述多个指存储区中的每个指存储区中的多个台阶；以及
所述存储器件还包括：形成在所述多个指存储区中的每个指存储区中的用于电连接所述多个台阶的多个字线触点。
13.根据权利要求9-12中的任一项所述的存储器件，其中：
沿所述第二横向方向，所述第一束结构中的所述多个第二电介质层中的每个第二电介质层包括多个分立的子部分。
14.根据权利要求3所述的存储器件，其中：
所述第一隔离结构在所述第一横向方向上的尺寸大于所述多个指存储区中的每个指存储区在所述第二横向方向上的尺寸的一半；以及
所述第一隔离结构在所述第二横向方向上的尺寸在大约10nm到40nm的范围内。
15.根据权利要求14所述的存储器件，其中：
所述壁结构区在所述第二横向方向上的尺寸与所述多个指存储区中的每个指存储区在所述第二横向方向上的所述尺寸近似相同。
16.根据权利要求3所述的存储器件，还包括：
沿所述第一横向方向形成在所述第一块存储区与所述第二块存储区之间的多个第二隔离结构，其中：
所述多个第二电介质层连接相邻的第二隔离结构，并且将每个第一隔离结构连接到第二隔离结构。
17.根据权利要求16所述的存储器件，其中：
所述多个第二隔离结构是与所述第一隔离结构同时形成的；以及
所述第一隔离结构和所述多个第二隔离结构是由绝缘材料制成的。
18.根据权利要求1-17中的任一项所述的存储器件，其中：
所述多个第一电介质层是由二氧化硅制成的；
所述多个第二电介质层是由氮化硅制成的；以及
所述多个电极层是由钨制成的。
19.一种用于形成存储器件的方法，包括：
形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替地布置在衬底上的多个第一电介质层和多个第二电介质层，其中：
在关于所述衬底的第一横向方向上，所述堆叠结构是在阵列区和布置在所述阵列区之间的中间区中形成的；
沿关于所述衬底的第二横向方向在所述中间区中形成阶梯结构和多个分立的第一束结构；
形成垂直地穿过所述堆叠结构并且进入所述衬底，并且沿所述第一横向方向延伸的多个栅缝隙(GLS)，其中：
在所述第二横向方向上，所述多个GLS至少限定第一块存储区和第二块存储区，以及
所述多个GLS包括形成在所述第一块存储区与所述第二块...
【专利技术属性】
技术研发人员：张中，张坤，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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