半导体装置以及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：空腔衬底，其包括基底和侧壁以界定空腔；电子组件，其在所述腔中在所述基底的顶侧上；盖，其在所述空腔上方和所述侧壁上方；以及阀，其用以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与所述空腔外部的外部环境之间的密封。本文中也公开其它实例和相关方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及制造半导体装置的方法
本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。
技术介绍
先前的半导体封装和用于形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过大、可靠性降低、性能相对低或封装大小过大。通过比较此类方法与本专利技术并参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
在本专利技术的一态样中，一种半导体装置，包括：空腔衬底，其包括基底和侧壁以界定空腔；电子组件，其在所述空腔中的所述基底的顶侧上；盖，其在所述空腔上方和所述侧壁上方；以及阀，其用以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与所述空腔外部的外部环境之间的密封。半导体装置还包括所述侧壁中的密封基底以及所述密封基底与所述盖之间的密封件。在半导体装置中，所述空腔环境包括真空。在半导体装置中，所述空腔环境包括惰性气体。在半导体装置中，所述阀通过所述空腔衬底的所述侧壁耦合到所述空腔。在半导体装置中，所述阀在所述空腔衬底的所述侧壁与所述盖之间。在半导体装置中，所述阀包括所述空腔衬底的所述基底中的孔口。在半导体装置中，所述阀包括在所述侧壁与所述盖之间在所述空腔衬底的所述侧壁中的凹槽。在半导体装置中，所述阀包括在所述盖与所述空腔衬底的所述侧壁之间在所述盖中的穿孔。在半导体装置中，所述柱塞包括焊料。在半导体装置中，所述柱塞包括树脂。在半导体装置中，所述阀包括围坝，且所述柱塞定位于所述围坝中。在半导体装置中，所述阀包括分接头和阻塞所述分接头的所述柱塞。半导体装置还包括所述基底中的与所述电子组件电耦合的导电结构。在本专利技术的另一态样中，一种方法，包括：提供空腔衬底，所述空腔衬底包括基底和侧壁以界定空腔；在所述空腔中的所述基底的顶侧上提供电子组件；在所述空腔上方提供与所述侧壁接触的盖；以及提供阀以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与所述空腔外部的环境之间的密封。方法还包括在将所述柱塞密封于所述阀中之前通过所述阀从所述空腔移除空气以在所述空腔环境中提供真空，并且接着将所述柱塞密封于所述阀中。方法还包括在将所述柱塞密封于所述阀中之前通过所述阀将惰性气体添加到所述空腔中，并且接着将所述柱塞密封于所述阀中。方法还包括使用激光将所述柱塞密封于所述阀中。在本专利技术的又另一态样中，一种半导体装置，包括：衬底，其包括基底和从所述基底竖直延伸的侧壁；盖，其在所述侧壁上方以界定所述基底、所述侧壁与所述盖之间的空腔；电子组件，其在所述空腔中；阀，其在所述空腔与所述空腔外部的外部环境之间；封件，其在所述盖与所述侧壁之间；以及柱塞，其在所述阀中，其中所述密封件和所述柱塞将所述空腔气密地密封以免受所述外部环境的影响。在半导体装置中：所述阀包含彼此耦合的第一穿孔和第二穿孔；所述第二穿孔的宽度大于所述第一穿孔的宽度；且所述柱塞在所述第二穿孔中。附图说明图1示出实例半导体装置的横截面图。图2A到2H示出制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。图3示出用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。图4示出实例半导体装置的横截面图。图5A到5I示出用于示出制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。图6示出实例半导体装置的横截面图。图7A到7I示出用于制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。图8示出实例半导体装置的横截面图。图9A到9H用于示出制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。图10示出实例半导体装置的横截面图。图11A到11F用于示出制造实例半导体装置的实例方法的横截面图。具体实施方式以下论述提供半导体装置和制造半导体装置的方法的各种实例。此类实例是非限制性的，且所附权利要求书的范围不应限于公开的特定实例。在下文论述中，术语“实例”和“例如”是非限制性的。诸图说明一般构造方式，且可能省略熟知特征和技术的描述和细节以免不必要地混淆本专利技术。另外，图式中的元件未必按比例绘制。举例来说，各图中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件放大，以帮助改进对本公开中论述的实例的理解。不同诸图中的相同附图标记表示相同元件。术语“或”表示由“或”连接的列表中的项目中的任何一个或多个项目。作为实例，“x或y”表示三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。作为另一实例，“x、y或z”表示七元素集合{(x),(y),(z),(x，y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任一元素。术语“包括”和/或“包含”为“开放”术语，并且指定所陈述特征的存在，但并不排除一个或多个其它特征的存在或添加。在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，并且这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，可将本公开中论述的第一元件称为第二元件。除非另外指定，否则术语“耦合”可以用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接连接的两个元件。例如，如果元件A耦合到元件B，那么元件A可以直接接触元件B或通过介入元件C间接连接到元件B。类似地，术语“在……上方”或“在……上”可用于描述彼此直接接触的两个元件或描述通过一个或多个其它元件间接连接的两个元件。在一个实例中，一种半导体装置包括：空腔衬底，其包括基底和侧壁以界定空腔；电子组件，其在所述腔中在所述基底的顶侧上；盖，其在所述空腔上方和所述侧壁上方；以及阀，其用以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与所述空腔外部的外部环境之间的密封。在另一实例中，一种制造半导体装置的方法包括：提供空腔衬底，所述空腔衬底包括基底和侧壁以界定空腔；在所述空腔中在所述基底的顶侧上提供电子组件；在所述空腔上方提供接触所述侧壁的盖；以及提供阀以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与空腔外部的环境之间的密封。在另一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，其包括基底和从基底竖直延伸的侧壁；盖，其在侧壁上方以界定基底、侧壁和盖之间的空腔；电子组件，其在所述空腔中；阀，其在所述空腔与空腔外部的外部环境之间；密封件，其在所述盖与侧壁之间；以及柱塞，其在所述阀中，其中所述密封件和柱塞将所述空腔气密地密封以免受外部环境的影响。其它实例包含于本专利技术中。在图式、权利要求书或本公开的说明书中可以找到此类实例。图1示出实例半导体装置10的横截面图。在图1中示出的实例中，半导体装置10可以包括空腔衬底11、电子组件15、互连件14、盖13、密封件16、阀18和柱塞19。空腔衬底11可以包括导电结构111和电介质结构112。导电结构111可以包括衬底内部端子1111、衬底外部端子1112、导电路径1113和密封基底1114(任选的)。导电结构111可以在基底112A中并且可以与电子组件15电耦合。电介质结构112可以包括基底112A和侧壁112B。空腔113可以由基底112A和侧壁112B界定。空腔环境或体积1131可实施于空腔113中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n空腔衬底，其包括基底和侧壁以界定空腔；/n电子组件，其在所述空腔中的所述基底的顶侧上；/n盖，其在所述空腔上方和所述侧壁上方；以及/n阀，其用以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与所述空腔外部的外部环境之间的密封。/n

【技术特征摘要】
20191219 US 16/720,6031.一种半导体装置，包括：
空腔衬底，其包括基底和侧壁以界定空腔；
电子组件，其在所述空腔中的所述基底的顶侧上；
盖，其在所述空腔上方和所述侧壁上方；以及
阀，其用以提供对所述空腔的接达，其中所述阀具有柱塞以提供空腔环境与所述空腔外部的外部环境之间的密封。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括所述侧壁中的密封基底以及所述密封基底与所述盖之间的密封件。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述空腔环境包括真空。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述空腔环境包括惰性气体。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阀通过所述空腔衬底的所述侧壁耦合到所述空腔。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阀在所述空腔衬底的所述侧壁与所述盖之间。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阀包括所述空腔衬底的所述基底中的孔口。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阀包括在所述侧壁与所述盖之间在所述空腔衬底的所述侧壁中的凹槽。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阀包括在所述盖与所述空腔衬底的所述侧壁之间在所述盖中的穿孔。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述柱塞包括焊料。


11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述柱塞包括树脂。


12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述阀包括围坝，且所述柱塞定位于所述围坝中。


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【专利技术属性】
技术研发人员：花田翔二郎，中村慎吾，
申请(专利权)人：安靠科技新加坡控股私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG