存储器的检测方法及检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种存储器的检测方法及检测装置，用于检测漏电的位线，方法包括：存储器包括多个存储单元，存储器还包括多个感测放大器，感测放大器包括提供低电位电压的电源线以及提供高电位电压的电源线；向每一存储单元写入第一存储数据；在写入第一存储数据之后，进行读取操作，基于第一真实数据与第一存储数据的差异，获取第一测试结果；再次进行读取操作，以读取每一存储单元内的第二真实数据；基于第二真实数据与第二存储数据的差异，获取第二测试结果；基于第二测试结果以及第一测试结果，获取漏电的位线的具体位置。本发明专利技术实施例提供的存储器的检测方法，有利于提高检测存储器的漏电的位线的准确度。

【技术实现步骤摘要】
存储器的检测方法及检测装置
本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种存储器的检测方法及检测装置。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。随着DRAM的制程工艺越来越先进、存储密度越来越高，DRAM制程工艺中也出现了越来越多的问题，比如：副产物掉落引发的短路、位线漏电流、电容的倒塌、金属线的断裂，关键尺寸不合格造成的结构问题等，这些制程工艺中出现的问题需要在良率测试过程中筛选出来，但是现有的良率测试方法不能准确的检测出漏电流的位线，导致产品良率较低。如何在良率测试过程中准确的检测出漏电流的位线，是本领域技术人员亟须解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种存储器的检本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的检测方法，用于检测漏电的位线，其特征在于，包括：/n所述存储器包括多个存储单元、多条相互分立的位线以及多条相互分立的字线，每条所述位线连接若干个所述存储单元，每条所述字线连接若干个所述存储单元，且每一所述存储单元与相应的一所述位线以及一所述字线连接，所述存储器还具有多条互补位线，每一所述互补位线与相应的一所述位线的电平相位相反；所述存储器还包括多个感测放大器，每一所述感测放大器与一所述位线以及一所述互补位线电耦合，且所述感测放大器包括提供低电位电压的电源线以及提供高电位电压的电源线；/n向每一所述存储单元写入第一存储数据；/n在写入所述第一存储数据之后，进行读取操作，所述读取操...

【技术特征摘要】
1.一种存储器的检测方法，用于检测漏电的位线，其特征在于，包括：
所述存储器包括多个存储单元、多条相互分立的位线以及多条相互分立的字线，每条所述位线连接若干个所述存储单元，每条所述字线连接若干个所述存储单元，且每一所述存储单元与相应的一所述位线以及一所述字线连接，所述存储器还具有多条互补位线，每一所述互补位线与相应的一所述位线的电平相位相反；所述存储器还包括多个感测放大器，每一所述感测放大器与一所述位线以及一所述互补位线电耦合，且所述感测放大器包括提供低电位电压的电源线以及提供高电位电压的电源线；
向每一所述存储单元写入第一存储数据；
在写入所述第一存储数据之后，进行读取操作，所述读取操作包括：依次选通所有所述字线进行读取，以通过所述位线以及所述感测放大器读取每一所述存储单元内的第一真实数据，且在进行读取之前，先选通与所述位线对应的所述提供低电位电压的电源线，以使所述位线的电平下降，在选通所述提供低电位电压的电源线后，在等待预设时间后，选通与所述位线对应的所述提供高电位电压的电源线，以使所述位线和所述互补位线中电平更高的一者的电平升高；
基于所述第一真实数据与所述第一存储数据的差异，获取第一测试结果；
向每一所述存储单元写入第二存储数据，且针对同一所述存储单元，所述第二存储数据与所述第一存储数据不同；
在写入所述第二存储数据之后，再次进行所述读取操作，以读取每一所述存储单元内的第二真实数据；
基于所述第二真实数据与所述第二存储数据的差异，获取第二测试结果；
基于所述第二测试结果以及所述第一测试结果，获取漏电的所述位线的具体位置。


2.根据权利要求1所述的存储器的检测方法，其特征在于，所述预设时间为90纳秒～120纳秒。


3.根据权利要求1所述的存储器的检测方法，其特征在于，向所述存储单元写入所述第一存储数据的方式包括：向所有所述存储单元写入相同的所述第一存储数据。


4.根据权利要求1或3所述的存储器的检测方法，其特征在于，向所述存储单元写入所述第二存储数据的方式包括：向所有所述存储单元写入相同的所述第二存储数据。


5.根据权利要求1所述的存储器的检测方法，其特征在于，向所述存储单元写入所述第一存储数据的方式包括：向与同一所述字线连接的若干所述存储单元写入相同的所述第一存储数据。


6.根据权利要求1或5所述的存储器的检测方法，其特征在于，向所述存储单元写入所述第二存储数据的方式包括：向与同一所述字线连接的若干所述存储单元写入相同的所述第二存储数据。


7.根据权利要求6所述的存储器的检测方法，其特征在于，向所述存储单元写入所述第一存储数据以及所述第二存储数据的方式还包括：向与相邻的所述字线连接的若干所述存储单元写入不同的所述第一存储数据，且向与相邻的所述字线连接的若干所述存储单元写入不同的所述第二存储数据。


8.根据权利要求1所述的存储器的检测方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵哲，孙龙杰，杨龙，陈永烜，许兰平，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34