【技术实现步骤摘要】
一种深槽结构高浪涌能力器件
本技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种深槽结构高浪涌能力器件。
技术介绍
近年快充技术取得了快速的发展，各种快充协议相继出现，升压大电流充电成为技术主流，可由于应用环境、各国电网稳定性等因素的影响，对EOS保护一直存在很大的差异，特别是手机充电应用。现有技术存在以下不足：现有的EOS保护对保护产品提出了更为严苛的要求，主要体现在产品的高浪涌能力、低残压、小型化上，现有工艺不仅在小型化方面难以提升，而且抗浪涌能力的提升也是空间有限。因此，专利技术一种深槽结构高浪涌能力器件很有必要。
技术实现思路
为此，本技术提供一种深槽结构高浪涌能力器件，以解决现有工艺不仅在小型化方面难以提升，而且抗浪涌能力的提升也是空间有限的问题。为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种深槽结构高浪涌能力器件，包括设置在器件容纳槽中的低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1，所述器件容纳槽顶端通过器件密封盖密封，所述低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1并联形成等效结构，所...
【技术保护点】
1.一种深槽结构高浪涌能力器件，包括设置在器件容纳槽（402）中的低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1，所述器件容纳槽（402）顶端通过器件密封盖（401）密封，其特征在于：所述低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1并联形成等效结构，所述低残压结构TVS管T1的阳极与低正向残压二极管D1的阳极相连，所述低残压结构TVS管T1的阴极与低正向残压二极管D1的阴极相连，所述低残压结构TVS管T1自上而下设置有第一电泳保护区域，所述低正向残压二极管D1自上而下设置有第二电泳保护区域，所述第一电泳保护区域由扩区部件（501）、第一P型衬底（101）和P+扩区（304）构...
【技术特征摘要】
1.一种深槽结构高浪涌能力器件，包括设置在器件容纳槽（402）中的低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1，所述器件容纳槽（402）顶端通过器件密封盖（401）密封，其特征在于：所述低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1并联形成等效结构，所述低残压结构TVS管T1的阳极与低正向残压二极管D1的阳极相连，所述低残压结构TVS管T1的阴极与低正向残压二极管D1的阴极相连，所述低残压结构TVS管T1自上而下设置有第一电泳保护区域，所述低正向残压二极管D1自上而下设置有第二电泳保护区域，所述第一电泳保护区域由扩区部件（501）、第一P型衬底（101）和P+扩区（304）构成，所述第二电泳保护区域由深沟槽部件（701）、第一P型衬底（101）、扩区部件（501）组成，所述器件容纳槽（402）中心点处的内壁中固定设置有深沟槽部件（701），所述器件容纳槽（402）的内壁的两端对称设置有浅沟槽部件（601）。
2.根据权利要求1所述的一种深槽结构高浪涌能力器件，其特征在于：所述扩区部件（501）包括对称设置这器件容纳槽（402）中的第一N+扩区（201）和第二N+扩区（202），所述第一N+扩区（201）和第二N+扩区（202）之间设置有第一P型衬底（101），所述低残压结构TVS...
【专利技术属性】
技术研发人员：张关保，王康，
申请(专利权)人：西安迈驰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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