【技术实现步骤摘要】
一种多芯片并联的半桥型IGBT模块
本技术涉及一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，属于功率半导体器件
技术介绍
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）可以耐受高压并提供大电流，且控制方便，是实现电机控制、电源逆变的重要功率器件。在实际使用中，为了实现大电流工作，需要将多颗芯片并联在一个桥臂上；特别是高压IGBT芯片，由于单颗芯片额定电流较小，常常需要20-30颗芯片并联工作；由于IGBT工作频率较高，开通过程中电流不平衡会导致个别芯片的功率损耗显著高于其他芯片，芯片结温不一致，影响模块的长期可靠性。现有的多芯片并联的高压大电流IGBT模块，一般由金属基板、6组焊有IGBT芯片和FRD芯片的陶瓷衬板、控制信号汇流印刷电路板、控制信号端子、三组功率端子和连接陶瓷衬板和控制信号汇流印刷电路板的铜柱组成，陶瓷衬板排列为两行，铜柱焊盘位于基板边缘一侧，功率端子焊盘位于基板中部；芯片在绝缘陶瓷衬板上的排列布局完全相同，芯片栅极位于芯片一角，均朝向模块中央一侧。由于现有的IGBT模块上的IGBT芯片的栅极都位于芯片一角，...
【技术保护点】
1.一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，其特征在于，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。/n
【技术特征摘要】
1.一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包括金属基板和六个绝缘陶瓷衬板，在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片，其特征在于，所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置，并全部朝向IGBT模块的中央，IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。
2.根据权利要求1所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述六个绝缘陶瓷衬板分为两两一组，在金属基板上排列成三列；每个绝缘陶瓷衬板的信号铜柱焊接点靠近金属基板边缘一侧，功率端子焊接点靠近金属基板内侧。
3.根据权利要求2所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述信号铜柱焊接点包括位于栅极铜柱焊接铜箔上的栅极焊盘和位于辅助发射极铜柱焊接铜箔上的辅助发射极焊盘，所述栅极焊盘上焊接有栅极铜柱，所述辅助发射极焊盘上焊接有辅助发射极铜柱。
4.根据权利要求2所述的一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，其特征在于，所述功率端子焊接点包括位于集电极铜箔上的集电极焊盘和位于发射极铜箔上的发射极焊盘，所述集电极焊盘上焊接有集电极功率端子，所述发射极焊盘上...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚二现，谢龙飞，王豹子，李宇柱，
申请(专利权)人：南瑞联研半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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