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本实用新型公开了一种深槽结构高浪涌能力器件，具体涉及半导体器件领域，其技术方案是：包括设置在器件容纳槽中的低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1，所述器件容纳槽顶端通过器件密封盖密封，所述低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1并...
该专利属于西安迈驰半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安迈驰半导体科技有限公司授权不得商用。

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