本发明涉及一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件，包括N型硅衬底，N型硅衬底的正面形成有P型外延层，背面形成有背面金属层，在其内部还设有深槽金属连接孔；深槽金属连接孔内均填充有金属铝，且其一端与背面金属层相接，另一端深入P型外延层...

本发明涉及一种用于ESD保护的纵向SCR器件，包括设置在背面金属层上的N型硅衬底；所述N型硅衬底上形成有P型外延层，所述P型外延层上设置有N型埋层，所述N型埋层上形成有两端底面与P型外延层相接的N型外延层，所述N型外延层上间隔形成有两个...

本实用新型涉及一种用于ESD保护的纵向SCR器件，包括设置在背面金属层上的N型硅衬底；所述N型硅衬底上形成有P型外延层，所述P型外延层上设置有N型埋层，所述N型埋层上形成有两端底面与P型外延层相接的N型外延层，所述N型外延层上形成有N型...

本实用新型涉及一种DFN1610芯片框架结构，包括DFN1610芯片框架，所述DFN1610芯片框架上设有左侧基岛和右侧基岛；所述左侧基岛上设有第一装片区域，所述第一装片区域朝向右侧基岛的一侧设有左侧基岛打线区域，所述左侧基岛打线区域的...

本实用新型涉及一种便于调节触发电压的SCR器件，包括硅衬底，硅衬底上有第一深阱区和第二深阱区，第一深阱区和第二深阱区上有场氧FOX厚SiO2层；第一深阱区上设有第一N型扩散区和第一P型扩散区；第二深阱区上有第二P型扩散区、第二N型扩散区...

本实用新型公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种低残压低容值的ESD器件，包括N衬底、埋层和P‑外延，所述N衬底背面设有背面金属层，所述P‑外延顶部形成第一低容二极管、第二低容二极管、SCR管和穿通型钳位TVS管，所述第一低容二极管的...

本实用新型公开的属于半导体器件技术领域，具体为一种低容值低残压ESD器件，包括低容二极管D1、低容二极管D2、低容二极管D3、场管T1、穿通型钳位TVS和低残压TVS管T2，所述低容二极管D1阳极与场管T1漏极固定连接，所述低容二极管D...

本实用新型公开了一种沟槽埋栅GaN HEMT器件，具体涉及半导体器件技术领域，其技术方案是：包括衬底，所述衬底顶部淀积一层AlN，所述AlN为器件缓冲层，所述器件缓冲层顶部生长一层不掺杂的GaN，所述GaN为沟道层，所述沟道层内壁通过光...

本实用新型公开了一种深槽结构高浪涌能力器件，具体涉及半导体器件领域，其技术方案是：包括设置在器件容纳槽中的低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D1，所述器件容纳槽顶端通过器件密封盖密封，所述低残压结构TVS管T1与低正向残压二极管D...

本实用新型公开了一种全耗尽型PIN光电二极管，具体涉及半导体器件技术领域，其技术方案是：包括衬底材料和P型埋层，所述衬底材料上端离子注入所述P型埋层，所述P型埋层上端淀积外延层，所述外延层上端离子注入N型保护环和有源区，所述外延层上端淀...

本实用新型公开了一种低残压、大浪涌电流保护器件，具体涉及半导体元器件技术领域，其技术方案是：包括保护器件、纵向结构TVS一、纵向结构TVS二和横向结构TVS三，所述保护器件是由所述纵向结构TVS一、所述纵向结构TVS二和所述横向结构TV...