一种全耗尽型PIN光电二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种全耗尽型PIN光电二极管，具体涉及半导体器件技术领域，其技术方案是：包括衬底材料和P型埋层，所述衬底材料上端离子注入所述P型埋层，所述P型埋层上端淀积外延层，所述外延层上端离子注入N型保护环和有源区，所述外延层上端淀积氮化硅层，所述氮化硅层内壁设有正面电极，所述衬底材料下端设有背面电极，所述衬底材料设置为低电阻率的N型硅材料，所述P型埋层与所述衬底材料之间形成PN结，本实用新型专利技术有益效果是：通过P型埋层与衬底材料之间形成PN结，减小扩散区面积，具有增加硅基光电二极管响应速度的作用。增加硅基光电二极管响应速度的作用。增加硅基光电二极管响应速度的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种全耗尽型PIN光电二极管


[0001]本技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种全耗尽型PIN光电二极管。

技术介绍

[0002]硅基光电二极管由于其材料成本低，制造工艺简单，响应度峰值波长为940nm，在3Dsensor、红外测距、光通讯等领域有着广泛的应用，由于光在硅中的入射深度跟入射光波长相关，波长越长，入射深度越深，因此，为了提高长波响应度，传统光电二极管均选用高阻材料来提升耗尽区宽度，从而达到提高响应度的目的，另外，响应时间由光生载流子在耗尽区的漂移时间、耗尽区外的光生载流子的扩散时间以及RC延迟时间三部分组成，对于300um厚度的PIN光电二极管，漂移时间和RC延迟为纳秒级，扩散时间为微秒级，可见光电二极管的响应时间主要由耗尽区外光生载流子的扩散时间决定。
[0003]现有技术存在以下不足：由于材料为高阻材料，扩散区电阻率太高，导致扩散时间变长，从而导致光电二极管响应速度变慢。
[0004]因此，专利技术一种全耗尽型PIN光电二极管很有必要。

技术实现思路

[0005]为此，本技术提供一种全耗尽型PIN光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全耗尽型PIN光电二极管，包括衬底材料（101）和P型埋层（102），其特征在于：所述衬底材料（101）上端离子注入所述P型埋层（102），所述P型埋层（102）上端淀积外延层（103），所述外延层（103）上端离子注入N型保护环（104）和有源区（105），所述外延层（103）上端淀积氮化硅层（106），所述氮化硅层（106）内壁设有正面电极（107），所述衬底材料（101）下端设有背面电极（108）。2.根据权利要求1所述的一种全耗尽型PIN光电二极管，其特征在于：所述衬底材料（101）设置为低...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炘，王康，
申请(专利权)人：西安迈驰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：