一种DFN1610芯片框架结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种DFN1610芯片框架结构，包括DFN1610芯片框架，所述DFN1610芯片框架上设有左侧基岛和右侧基岛；所述左侧基岛上设有第一装片区域，所述第一装片区域朝向右侧基岛的一侧设有左侧基岛打线区域，所述左侧基岛打线区域的形状为等腰梯形；所述右侧基岛上设有第二装片区域，所述第二装片区域朝向左侧基岛的一侧设有右侧基岛打线区域，所述右侧基岛打线区域的形状为凹槽状，其与所述等腰梯形形状契合。本实用新型专利技术增加了装片区域面积，使其能够装配较大尺寸芯片，且可同时兼容双芯片对打串联结构及双芯片对打并联结构。对打串联结构及双芯片对打并联结构。对打串联结构及双芯片对打并联结构。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN1610芯片框架结构


[0001]本技术属于芯片框架
，尤其涉及一种DFN1610芯片框架结构。

技术介绍

[0002]ESD成品对于低残压&大电流的性能要求，在芯片结构参数未有明显突破的前提下，为保证产品有良好的电参数，内封芯片需保持一定尺寸规格，与现有成品封装尺寸微型化之间的矛盾，对于产品装配结构提出了更高要求。
[0003]现有常规框架样式(见附图1)一般只能做芯片串联装片，若强行做并联装片，对于芯片尺寸负面影响很大，且只能装小尺寸的芯片，最终导致产品在电参数上往往无法占得优势。
[0004]因此，需要设计一款可在满足接线需求，且保证框架上装片区域规整(保持矩形形状)的前提下，能够增加装片区域面积，使该位置可以装配较大尺寸芯片的芯片框架结构。

技术实现思路

[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种DFN1610芯片框架结构，其增加了装片区域面积，使其能够装配较大尺寸芯片，且可同时兼容双芯片对打串联结构及双芯片对打并联结构。
[0006]为了达到上述目的，本技术的技术方案是：
[0007]一种DFN1610芯片框架结构，包括DFN1610芯片框架，所述DFN1610芯片框架上设有左侧基岛和右侧基岛；
[0008]所述左侧基岛上设有第一装片区域，所述第一装片区域朝向右侧基岛的一侧设有左侧基岛打线区域，所述左侧基岛打线区域的的横截面为等腰梯形状；
[0009]所述右侧基岛上设有第二装片区域，所述第二装片区域朝向左侧基岛的一侧设有右侧基岛打线区域，所述右侧基岛打线区域的形状为凹槽状，其与所述左侧基岛打线区域紧密贴合。
[0010]上述的一种DFN1610芯片框架结构，所述左侧基岛打线区域的腰线斜度与第一装片区域的侧边夹角角度为45度；所述右侧基岛打线区域的凹槽斜面与第二装片区域的侧边夹角角度为45度。
[0011]上述的一种DFN1610芯片框架结构，所述左侧基岛的左侧、顶部和底部分别设有第一框架管脚；所述右侧基岛的右侧、顶部和底部分别设有第二框架管脚。
[0012]本技术的技术效果和优点：
[0013]本技术提供的一种DFN1610芯片框架结构，通过将左侧基岛和右侧基岛相接的打线区域预先做分离设计，可以在满足接线需求、保证框架上装片区域规整的前提下，增加装片区域面积，使该位置可以装配较大尺寸的芯片，框架的泛用性得到提高，同时兼容双芯对打串联结构及双芯对打并联结构，增加了在后续产品规格设计阶段的作业性，从而可以搭配出更多、更具优势的封装结构。
附图说明
[0014]图1是现有技术中的DFN1610
‑
2芯片框架结构；
[0015]图2是本技术的DFN1610芯片框架结构。
[0016]图中标号：1、DFN1610芯片框架；2、左侧基岛；21、第一装片区域；22、左侧基岛打线区域；3、右侧基岛；31、第二装片区域；32、右侧基岛打线区域；7、第一框架管脚；8、第一框架管脚。
具体实施方式
[0017]以下结合附图给出的实施例对本技术作进一步详细的说明。
[0018]参见图2所示，一种DFN1610芯片框架结构，包括DFN1610芯片框架1，所述DFN1610芯片框架1上设有左侧基岛2和右侧基岛3。
[0019]具体实施时，参见图2所示，所述左侧基岛2上设有第一装片区域21，所述第一装片区域21朝向右侧基岛3的一侧设有左侧基岛打线区域22，所述左侧基岛打线区域22的的横截面为等腰梯形状。
[0020]具体实施时，参见图2所示，所述右侧基岛3上设有第二装片区域31，所述第二装片区域31朝向左侧基岛2的一侧设有右侧基岛打线区域32，所述右侧基岛打线区域32的形状为凹槽状，其与所述左侧基岛打线区域22紧密贴合。
[0021]具体实施时，所述左侧基岛打线区域22的腰线斜度与第一装片区域21的侧边夹角角度为45度；所述右侧基岛打线区域32的凹槽斜面与第二装片区域31的侧边夹角角度为45度。
[0022]具体实施时，所述左侧基岛2的左侧、顶部和底部分别设有第一框架管脚7；所述右侧基岛3的右侧、顶部和底部分别设有第二框架管脚8。
[0023]参见图1所示，现有常规框架样式一般只能做芯片串联装片，若强行做并联装片，对于芯片尺寸负面影响很大，只能装小尺寸的芯片，最终产品在电参数上往往无法占得优势。
[0024]本技术通过将左侧基岛2和右侧基岛3相接的打线区域预先做分离设计，可以在满足接线需求、保证框架上装片区域规整的前提下，增加装片区域面积，使该位置可以装配较大尺寸的芯片，框架的泛用性得到提高，同时兼容双芯对打串联结构及双芯对打并联结构，增加了在后续产品规格设计阶段的作业性，从而可以搭配出更多、更具优势的封装结构。
[0025]以上所述的仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DFN1610芯片框架结构，其特征在于：包括DFN1610芯片框架(1)，所述DFN1610芯片框架(1)上设有左侧基岛(2)和右侧基岛(3)；所述左侧基岛(2)上设有第一装片区域(21)，所述第一装片区域(21)朝向右侧基岛(3)的一侧设有左侧基岛打线区域(22)，所述左侧基岛打线区域(22)的横截面为等腰梯形状；所述右侧基岛(3)上设有第二装片区域(31)，所述第二装片区域(31)朝向左侧基岛(2)的一侧设有右侧基岛打线区域(32)，所述右侧基岛打线区域(32)的形状为凹槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：王康，张彪，焦彬，贺健民，
申请(专利权)人：西安迈驰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：