半蚀刻引线框架及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半蚀刻引线框架及其制作方法，该引线框架包括：基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。本发明专利技术的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在DB和WB工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。能够提高产品的良率。能够提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
半蚀刻引线框架及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，特指一种半蚀刻引线框架及其制作方法。

技术介绍

[0002]在半导体封装
，由于半导体IC产品外形和功能的需要，其生产所使用的引线框架的底部不是平面设计，同时该引线框架的厚度较薄，约在100um左右，从而使得引线框架的底部支撑强度较低。在进行DB(贴片)和WB(焊线)工艺时，引线框架会发生不可控的跳动，从而造成虚焊，球脱或上片中心偏移等异常现象，影响了产品的良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种半蚀刻引线框架及其制作方法，解决现有的引线框架底部支撑强度较低引发不可控的跳动造成虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象发生，进而影响了产品的良率的问题。
[0004]实现上述目的的技术方案是：
[0005]本专利技术提供了一种半蚀刻引线框架，包括：
[0006]基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；
[0007]设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及
[0008]填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。
[0009]本专利技术的引线框架设置有封装层，利用封装层填充基岛及引脚背面的凹陷部与凹入部，大大提升了引线框架的平整度，在DB和WB工艺中不存在真空吸附不牢，不规则跳动等问题，从而也就不会发生虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象，能够提高产品的良率。
[0010]本专利技术半蚀刻引线框架的进一步改进在于，位于所述基岛和所述引脚之间的封装层的上表面与所述基岛及所述引脚的正面相平齐。
[0011]本专利技术半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛包括与所述凹陷部相对应的第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，且所述第一部分的正面与所述第二部分的正面相平齐。
[0012]本专利技术半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛的上侧设有与所述第二部分连接的第一连筋，所述第一连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第一连筋的正面与所述基岛的正面相平齐。
[0013]本专利技术半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述基岛的左右两侧设有与所述第一部分连接的第二连筋，所述第二连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第二连筋的正面与所述第一部分的正面相平齐。
[0014]本专利技术半蚀刻引线框架的进一步改进在于，所述引脚的数量有两个，两个引脚之间形成有间隙；
[0015]所述封装层还填充于两个引脚之间的间隙内。
[0016]本专利技术还提供了一种半蚀刻引线框架的制作方法，包括如下步骤：
[0017]提供引线框架，所提供的引线框架上设有基岛以及位于所述基岛下侧的引脚；
[0018]对所述基岛及所述引脚的背面进行选择性蚀刻以在所述基岛的背面形成凹陷部，在所述引脚的背面形成凹入部；以及
[0019]于注塑模具内对所述引线框架的底部进行注塑以形成填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层。
[0020]本专利技术的制作方法的进一步改进在于，在对引线框架的底部进行注塑之前，于所述引线框架的正面贴保护膜。
[0021]本专利技术的制作方法的进一步改进在于，在注塑形成封装层之后，将所述引线框架放入到烤箱中进行烘烤，再对所述封装层的下表面进行研磨。
[0022]本专利技术的制作方法的进一步改进在于，选择性蚀刻的深度为0.05mm至0.07mm之间。
附图说明
[0023]图1为本专利技术半蚀刻引线框架的结构示意图。
[0024]图2为本专利技术半蚀刻引线框架中省去镂空部的结构示意图。
[0025]图3为本专利技术半蚀刻引线框架中基岛和引脚的结构示意图。
[0026]图4为本专利技术半蚀刻引线框架中基岛和引脚的剖视图。
[0027]图5为本专利技术半蚀刻引线框架的剖视图。
[0028]图6至图9为本专利技术半蚀刻引线框架的封装过程中各工艺对应的结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明。
[0030]参阅图1，本专利技术提供了一种半蚀刻引线框架及其制作方法，用于解决现有的半蚀刻引线框架设计在DB和WB工序时，会产生不可控的跳动，造成虚焊、球脱或上片中心偏移等异常现象的发生。本专利技术的半蚀刻引线框架在基岛和引脚的背面设置有封装层，利用封装层将基岛背面的凹陷部以及引脚背面的凹入部填满，使得引线框架的背面是平面结构，提高引线框架的支撑强度，避免引线框架在DB和WB工序时发生不可控的跳动，也就避免了虚焊、球脱或者上片中心偏移等异常现象的发生，提高了产品键合品质和可靠性。下面结合附图对本专利技术半蚀刻引线框架及其制作方法进行说明。
[0031]参阅图1，显示了本专利技术半蚀刻引线框架的结构示意图。参阅图3，显示了本专利技术半蚀刻引线框架中基岛和引脚的结构示意图。参阅图5，显示了本专利技术半蚀刻引线框架的剖视图。下面结合图1、至图3和图5，对本专利技术半蚀刻引线框架的结构进行说明。
[0032]如图1、图3和图5所示，本专利技术的半蚀刻引线框架20包括基岛21、引脚22以及封装层25，结合图4所示，基岛21的背面设有凹陷部21a，引脚22的背面设有凹入部22a，该引脚22设于基岛21的下侧，封装层25填充于凹陷部21a、凹入部22a以及基岛21和引脚22之间的间隙23内，该封装层25的下表面与基岛21及引脚22的背面相平齐。
[0033]本专利技术的半蚀刻引线框架的基岛和引脚的背面设有凹陷部与凹入部，使其达成所需的外形和功能需求，该引线框架的背面设有封装层，利用封装层的设置让引线框架的背
面为平面结构，提高引线框架的支撑强度，避免发生不可控的跳动。且先在引线框架上形成封装层，能够预先释放封装层与引线框架之间的应力，使得产品在使用过程中更好的适应高低温变化，消除半蚀刻引线框架在一次性注塑封装时由于温度变化在膨胀和收缩时不一致造成的分层。
[0034]在本专利技术的一种具体实施方式中，如图5所示，位于基岛21和引脚22之间的封装层25的上表面与基岛21及引脚22的正面相平齐。
[0035]在本专利技术的一种具体实施方式中，如图1至图4所示，基岛21包括与凹陷部21a相对应的第一部分211以及与该第一部分211连接的第二部分212，该第二部分212的厚度大于第一部分211的厚度，且第一部分211的正面与第二部分212的正面相平齐。
[0036]基岛21上的凹陷部21a通过选择性蚀刻形成，该选择性蚀刻的深度在0.05mm至0.07mm之间，约为基岛21整体厚度的一半。
[0037]在选择性蚀刻时，对基岛21背面的下半部分进行蚀刻以形成凹陷部21a。
[0038]在本专利技术的一种具体实施方式中，如图1至图3所示，基岛21的上侧设有与第二部分212连接的第一连筋213，该第一连筋213的厚度与第一部分211的厚度相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半蚀刻引线框架，其特征在于，包括：基岛，所述基岛的背面设有凹陷部；设于所述基岛下侧的引脚，所述引脚的背面设有凹入部；以及填充于所述凹陷部、所述凹入部以及所述基岛和所述引脚之间的封装层，所述封装层的下表面与所述基岛及所述引脚的背面相平齐。2.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，位于所述基岛和所述引脚之间的封装层的上表面与所述基岛及所述引脚的正面相平齐。3.如权利要求1所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛包括与所述凹陷部相对应的第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度，且所述第一部分的正面与所述第二部分的正面相平齐。4.如权利要求3所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛的上侧设有与所述第二部分连接的第一连筋，所述第一连筋的厚度与所述第一部分的厚度相一致，且所述第一连筋的正面与所述基岛的正面相平齐。5.如权利要求3所述的半蚀刻引线框架，其特征在于，所述基岛的左右两侧设有与所述第一部分连接的第二连筋，所述第二连筋的厚度与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙彬，孙静，李文学，
申请(专利权)人：青岛泰睿思微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：