一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器，包括PIN芯片，PIN芯片具有设有光敏层的探测端，PIN芯片连接有温控转换装置，温控转换装置分别与P型半导体和N型半导体连接，用于使PIN芯片在探测模式与制冷模式之间切换，在制冷模式下，PIN芯片与温控转换装置组合构成为帕尔贴制冷片；探测端还设有环形导电导热层，PIN芯片的P型半导体和N型半导体均与导电导热层接触，光敏层嵌装于导电导热层的内环中；PIN芯片的另一端设有散热装置。本发明专利技术设计出PIN芯片与帕尔贴制冷片二合一的探测装置，通过温控转换装置实行该探测装置工作模式的转换，可使PIN芯片的光敏层温度处在安全范围内，显著地提高探测器件的热稳定性，减少超强激光对器件的损伤。减少超强激光对器件的损伤。减少超强激光对器件的损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器


[0001]本专利技术属于激光探测
，具体涉及一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器。

技术介绍

[0002]高功率脉冲激光在激光雷达、激光毁伤中越来越多应用，对其主动探测或被动衰减是一个热点问题，无论主动还是被动处理，其关键环节都是将其功率衰减到安全范围，所应用的衰减器类型主要包括部分反射衰减器(反射)和吸收衰减器(透射)；其中，采用强衰减系数的吸收型衰减PIN探测器在降低高功率激光光功率的同时，能减少光散射或反射产生的干扰或潜在安全隐患。
[0003]PIN陷阱探测器芯片作为一种激光接收系统的重要组件，其工作原理是在两种半导体P型区和N型区之间生成势垒区I型层，吸收光辐射后产生与光辐射强度成正比的光电流；其应用于光电探测领域，具有结电容小、灵敏度高等优点。但是，PIN芯片用于高功率脉冲激光能量衰减时，瞬时吸收超强激光的辐射，光声转换使芯片瞬间聚集大量的热，如果不采取快速降温措施，PIN芯片的温度会骤升。

技术实现思路

[0004]本专利技术涉及一种用于高功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器，包括PIN芯片，所述PIN芯片具有设有光敏层的探测端，其特征在于：所述PIN芯片连接有温控转换装置，所述温控转换装置分别与所述PIN芯片的P型半导体和N型半导体连接；所述温控转换装置用于使所述PIN芯片在探测模式与制冷模式之间切换，在所述制冷模式下，所述PIN芯片与所述温控转换装置组合构成为一帕尔贴制冷片；所述探测端还设有环形导电导热层，所述PIN芯片的P型半导体和N型半导体均与所述导电导热层接触，所述光敏层嵌装于所述导电导热层的内环中；所述PIN芯片还具有与所述探测端相对的散热端，所述散热端设有散热装置。2.如权利要求1所述的用于高功率脉冲激光能量衰减的制冷陷阱衰减器，其特征在于：所述P型半导体和N型半导体分别通过转换铜片与所述散热装置连接，所述温控转换装置包括双刀开关和控制电源，所述控制电源具有两个正极接点和两个负极接点，其中，所述P型半导体的PIN正极端口与其中一个正极接点电连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹强，高阳，刘胜，王若楠，杜渐，
申请(专利权)人：北京仿真中心，
类型：发明
国别省市：