一种硅基背照PIN器件结构制造技术

本发明专利技术公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N

【技术实现步骤摘要】
一种硅基背照PIN器件结构


[0001]本专利技术涉及半导体光电
，具体是一种硅基背照PIN器件结构。

技术介绍

[0002]耗尽型光电探测器PIN光电二极管经常被使用在激光方位探测中，之所以这种器件叫做PIN 光电二极管，主要就是因为有一层本征层（I 层）在P
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N结之间。
[0003]PIN结构光电探测器具有高灵敏度和高分辨率、低功耗、响应速度快等特点，广泛应用于光通信、其他快速光电自动控制装备系统领域；PIN光敏二极管由于其结构的优越性和良好的光电响应特性,在光通信、光测距、光度测量及光电控制等方面有着重要的应用。
[0004]为了更好地改善波长范围和频响，往往对控制本征层的厚度进行有效地控制，这样减少其和反偏压下耗尽层宽度的差距。器件的灵敏度和频响在很大程度上取决于PIN光电二极管中的本征层。这主要是因为本征层和P区N区比较是高阻区，本征层是反向偏压比较集中的区域，也正是因为如此，高电场区就在这个区间形成，而高电场区的电阻大，故而减小了暗电流。本征层引入之后能够加大耗尽层区，因此光电转换的有效区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基背照PIN器件结构，其特征在于，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N-光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N-光敏区，N-光敏区通过P+隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁继洪，陈计学，刘中梦雪，张伟，丁艳丽，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：