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本实用新型公开了一种全耗尽型PIN光电二极管，具体涉及半导体器件技术领域，其技术方案是：包括衬底材料和P型埋层，所述衬底材料上端离子注入所述P型埋层，所述P型埋层上端淀积外延层，所述外延层上端离子注入N型保护环和有源区，所述外延层上端淀积氮...
该专利属于西安迈驰半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安迈驰半导体科技有限公司授权不得商用。

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