一种SiC IGBT器件制造技术

本实用新型专利技术提供的SiC IGBT器件从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N‑电阻层、场终止层、N‑漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+区；器件正面形成MPS肖特基二极管结构；器件在进行续流工作时，MPS肖特基二极管结构的电流将通过背面的N+区形成导电通路，以集成续流二极管。本申请通过在器件的表面设置肖特基二极管结构，并且在器件背面形成交替设置的N+区与P+区，使器件在进行续流工作时，正面的MPS二极管(嵌入pn结构的肖特基二极管)的电流将通过N+区形成导电通路，从而实现集成续流二极管的功能。

【技术实现步骤摘要】
一种SiCIGBT器件
本技术涉及半导体
，尤其是涉及一种SiCIGBT器件。
技术介绍
SiC材料的禁带宽度约是硅的3倍，临界击穿场强约是10倍，因此非常适合于在高压、超高压电力领域的应用。SiCIGBT器件的击穿电压可以达到20kV以上，远超过硅的器件。在6.5kV以上，SiCIGBT器件不仅具有低的正向导通压降，而且具有非常小的开关损耗和非常快的开关频率。在智能电网、高压点火等领域具有非常显著的优势，如在电网领域，可有效减少串联的器件数目，提供系统的可靠性和简易性。另一方面，在实际应用中，由于电路中电感的存在，晶体管往往需要反并联一个续流二极管。如目前常用的硅IGBT模块，都反并联了硅快恢复二极管作为续流二极管。如果在一个器件中集成了续流二极管，那么不仅提高了芯片的集成度和可靠性，同时也有效的降低了芯片成本。在硅的IGBT中，集成pn二极管的器件也被称为逆导IGBT(RC-IGBT)。然而，由于SiC的禁带宽度大，pn开启电压高，集成pn二极管会使器件续流时的损耗很大。同时由于pn二极管的反向恢复时间长、反向恢复电流大，使器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC IGBT器件，其从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N-电阻层、场终止层、N-漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，其特征在于：/n器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+区；/n器件正面形成MPS肖特基二极管结构；/n器件在进行续流工作时，MPS肖特基二极管结构的电流将通过背面的N+区形成导电通路，以集成续流二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种SiCIGBT器件，其从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N-电阻层、场终止层、N-漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，其特征在于：
器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+区；
器件正面形成MPS肖特基二极管结构；
器件在进行续流工作时，MPS肖特基二极管结构的电流将通过背面的N+区形成导电通路，以集成续流二极管。


2.根据权利要求1所述的SiCIGBT器件，其特征在于，在器件有源区的原胞结构中，P阱区中间形成高掺杂的P+区和N+区，在高掺杂的P+区和N+区上形成欧姆接触；相邻P阱区中间设置有两个高掺杂的P+区，多晶硅栅极下方的P阱区和P+区之间的区域为MOSFET导电的JFET区；所述两个P+区之间的N型区形成肖特基接触；高...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪炜江，
申请(专利权)人：芜湖启源微电子科技合伙企业有限合伙，
类型：新型
国别省市：安徽;34