【技术实现步骤摘要】
新型高抗动态闩锁能力的功率器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件。
技术介绍
目前在MOSFET、IGBT、MCT等功率半导体器件的制作过程中，为了增加器件的抗动态闩锁能力，通常是在源区下面注入浓硼来降低关断过程中的横向电阻，以防止空穴电流流经横向电阻产生高于NPN寄生三极管导通的电压降，但是，注入的浓硼在激活时会扩散到功率半导体器件的沟道区，从而导致器件的阈值电压升高。
技术实现思路
本技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本技术的目的在于提出一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件，能够在不影响阈值电压的情况下，实现高抗动态闩锁能力。为达到上述目的，本技术实施例提出了一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件，包括多个元胞结构，每个所述元胞结构包括衬底，所述衬底顶部设有沟槽、第一阱区和第二阱区，所述沟槽内设有沟槽栅，所述第一阱区和所述第二阱区分别设于所述沟槽两侧，所述第一阱区和所述第二阱区顶部分别设有第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区分别设于...
【技术保护点】
1.一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，包括多个元胞结构，每个所述元胞结构包括衬底，所述衬底顶部设有沟槽、第一阱区和第二阱区，所述沟槽内设有沟槽栅，所述第一阱区和所述第二阱区分别设于所述沟槽两侧，所述第一阱区和所述第二阱区顶部分别设有第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区分别设于所述沟槽两侧，所述第一源区、所述第二源区和所述沟槽栅顶部设有金属层，其中，/n所述第一源区与所述第一阱区之间设有第一绝缘层，所述第二源区与所述第二阱区之间设有第二绝缘层。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，包括多个元胞结构，每个所述元胞结构包括衬底，所述衬底顶部设有沟槽、第一阱区和第二阱区，所述沟槽内设有沟槽栅，所述第一阱区和所述第二阱区分别设于所述沟槽两侧，所述第一阱区和所述第二阱区顶部分别设有第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区分别设于所述沟槽两侧，所述第一源区、所述第二源区和所述沟槽栅顶部设有金属层，其中，
所述第一源区与所述第一阱区之间设有第一绝缘层，所述第二源区与所述第二阱区之间设有第二绝缘层。
2.根据权利要求1所述的新型高抗动态闩锁能力的功率器件，其特征在于，所述第一绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：张景超，戚丽娜，井亚会，林茂，俞义长，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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