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本实用新型提供的SiC IGBT器件从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N‑电阻层、场终止层、N‑漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+区；...该专利属于芜湖启源微电子科技合伙企业(有限合伙)所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启源微电子科技合伙企业(有限合伙)授权不得商用。
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本实用新型提供的SiC IGBT器件从下至上依次为集电极、P+层、N+层、N‑电阻层、场终止层、N‑漂移层、N载流子储存层、P基区、N型JFET区、欧姆接触、栅极、肖特基接触和发射极，器件背面N+层与P+层之间形成交替设置的N+区与P+区；...