肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种肖特基二极管，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层；漂移区，漂移区位于缓冲层的一侧；第二外延层，第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，重掺杂区位于沟槽的底部；结型场效应区，结型场效应区位于相邻的两个重掺杂区之间；第一金属层，第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触，与第二外延层形成肖特基接触；第一电极和第二电极。由此，通过第一金属层与第二外延层形成肖特基接触，与现有技术相比，能够使肖特基接触处具有更小的电场强度和更低的反偏泄漏电流，同时大的肖特基接触面积可以提升肖特基二极管的正向导通特性，通过第一金属层与重掺杂区处形成欧姆接触能够具有比较好的浪涌和雪崩能力。比较好的浪涌和雪崩能力。比较好的浪涌和雪崩能力。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管


[0001]本技术涉及半导体领域，尤其是涉及一种肖特基二极管。

技术介绍

[0002]肖特基二极管是多子器件，因为肖特基二极管无反向恢复电荷，所以可用于高频开关电路中，并且肖特基二极管具有比pn二极管低的损耗，因此应用领域非常广泛。而SiC肖特基二极管由于SiC材料的宽禁带宽度、高临界电场和高热导率的性能，可以实现肖特基二极管耐高温、耐高压和高工作频率的应用优势。
[0003]肖特基二极管的反偏漏电流要远远大于pn二极管，这主要是由势垒大小和肖特基接触表面的电场强度所决定，现有技术中，为了降低肖特基二极管的反偏漏电流，采用高势垒的肖特基金属来降低肖特基二极管的反偏泄漏电流，会增加器件的导通压降。并且现有技术中一般采用设置高掺杂浓度p区(p+区)的方法屏蔽肖特基接触表面的电场，而为了获得好的屏蔽效果，往往使肖特基接触的尺寸变小，而肖特基接触的尺寸变小会导致JFET电阻急剧上升，从而会导致导通电阻增大。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种肖特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底的一侧；漂移区，所述漂移区位于所述缓冲层远离所述衬底的一侧；第二外延层，所述第二外延层设于所述漂移区远离所述缓冲层的一侧且所述第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，所述重掺杂区位于所述漂移区内且位于所述沟槽的底部；结型场效应区，所述结型场效应区位于相邻的两个所述重掺杂区之间；第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽侧壁处的所述第二外延层，以及所述沟槽的底部的所述重掺杂区，并与所述重掺杂区处形成欧姆接触，与所述沟槽侧壁处的第二外延层形成肖特基接触；以及第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述衬底的远离所述缓冲层的一侧，所述第二电极位于所述漂移区的远离所述衬底的一侧，所述第二电极在所述肖特基接触和所述欧姆接触的上方且与所述肖特基接触和所述欧姆接触电连接。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底、所述缓冲层、所述漂移区和所述第二外延层具有第一掺杂类型，所述结型场效应区为第一类型结型场效应区；所述重掺杂区具有第二掺杂类型。3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底以及缓冲层均为重掺杂，所述漂移区和所述第二外延层为轻掺杂。4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪炜江，
申请(专利权)人：芜湖启源微电子科技合伙企业有限合伙，
类型：新型
国别省市：