具有沟槽自对准PPlus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构制造技术

本实用新型专利技术公开了具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的外延层包括n2 Epi区、P Plus epi区以及n1 Epi区，在所述n2 Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述P Plus epi区隔离成自对准的肖特基区电场掩蔽层的N+区；所述沟槽的两侧设置有与掩埋P区相连的P+区，从而形成倒T型P Plus epi区；相邻的所述倒T型P Plus epi区将中间的肖特基区半包裹屏蔽住，实现肖特基区表面电场的减弱与屏蔽。该新型倒T型p plus结构SBD器件能起到良好的肖特基区电场屏蔽保护作用，能实现较大的肖特基区面积与pplus区域面积的比例，增加单位面积的电流密度，同时有效保护肖特基接触区和增强器件的抗浪涌能力。增强器件的抗浪涌能力。增强器件的抗浪涌能力。

【技术实现步骤摘要】
具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构


[0001]本技术涉及半导体器件
，尤其是涉及一种具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构。

技术介绍

[0002]SiC作为近十几年来迅速发展的宽禁带半导体材料，与其它半导体材料，比如Si，GaN及GaAs相比，SiC材料具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率、高功率密度等优点。SiC可以热氧化生成二氧化硅，使得SiC MOSFET及SBD等功率器件和电路的实现成为可能。自20世纪90年代以来，SiC MOSFET和SBD等功率器件已在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。
[0003]目前碳化硅肖特基二极管(Schottky barrier diodes，以下简称 SBD)往往采用JBS结构，如图1所示，在器件的设计过程中存在两个问题：一个是，对于JBS的设计，存在器件单位面积电流密度和正向导通阻抗与器件肖特基区表面电场强度及可靠性的矛盾，肖特基区单元宽度m越宽，器件的正向导通阻抗越低，但m越大，器件肖特基区表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，其特征在于，所述元胞结构的外延层包括n2 Epi区、P Plus epi区以及n1 Epi区，在所述n2 Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述P Plus...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋召海，
申请(专利权)人：华芯威半导体科技北京有限责任公司，
类型：新型
国别省市：