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本实用新型公开了具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的外延层包括n2 Epi区、P Plus epi区以及n1 Epi区，在所述n2 Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽，所述沟槽的底部设置有将所述P ...
该专利属于华芯威半导体科技（北京）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过华芯威半导体科技（北京）有限责任公司授权不得商用。

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