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本实用新型公开了一种肖特基二极管，肖特基二极管包括：衬底；缓冲层；漂移区，漂移区位于缓冲层的一侧；第二外延层，第二外延层内具有沟槽；重掺杂区，重掺杂区位于沟槽的底部；结型场效应区，结型场效应区位于相邻的两个重掺杂区之间；第一金属层，第一金属...
该专利属于芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）授权不得商用。

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