一种带有保护结构的SiCMOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种带有保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括终端区和划片槽区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；所述栅跑道和所述源跑道之间集成了两个反向串联的肖特基二极管结构，作为器件的保护结构。本实用新型专利技术通过在芯片上集成温度保护结构，当器件的结温超过一定温度时能够触发保护结构，降低甚至短路器件的栅源电压，关断器件，从而保护了器件和电路。器件和电路。器件和电路。

【技术实现步骤摘要】
一种带有保护结构的SiC MOSFET器件


[0001]本技术涉及半导体
，尤其是涉及一种带有保护结构的SiC MOSFET器件。

技术介绍

[0002]宽禁带半导体材料SiC相比于Si具有约3倍的禁带宽度、10倍的临界击穿电场强度、3倍的热导率。因此SiC器件相比与Si器件具有更高的耐压、更高的工作频率和更高的耐高温能力等优势。理论和实践都已经证实了SiC MOSFET相比于Si基IGBT具有10以上的开关频率和更好的开关效率，因此SiC器件将会有非常大的应用领域和市场。
[0003]虽然一般SiC器件的理论最高结温可以达到600℃以上，但是在SiC MOSFET中，由于存在MOS栅结构，限制了最高结温。当结温升高时，栅的阈值电压下降，同时隧穿通过栅介质的电流增加，导致栅的寿命急剧下降。因此，要求器件在低于最高结温下工作对于器件长期的可靠性和寿命是非常重要的。一般情况下，半导体器件的规格书中都严格规定了器件工作的最高结温。在器件的实际应用中，都会使器件在低于规定的最高结温下工作，从而保证器件和系统的稳定和可靠运行。但是在有些情况本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括终端区和划片槽区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；其特征在于，所述栅跑道和所述源跑道之间集成了两个反向串联的肖特基二极管结构，作为器件的保护结构。2.根据权利要求1所述的带有保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述保护结构从下至上依次包括漏极、n+衬底、n+型缓冲层、n型漂移区、p+区、n区、场氧层、多晶硅、层间介质、欧姆接触金属、肖特基接触金属、栅跑道金属、源跑道金属以及钝化层。3.根据权利要求1所述的带有保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述有源区下至上依次包括漏极、n+衬底、n+型缓冲层、n型漂移区、n型JFET区、p阱、p+区、n+区、栅介质、多晶硅栅、层间介质、源欧姆接触以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪炜江，
申请(专利权)人：芜湖启源微电子科技合伙企业有限合伙，
类型：新型
国别省市：