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本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种带有保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括终端区和划片槽区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上...
该专利属于芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）授权不得商用。

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