半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，接触插塞的下端比源区/漏区的下端靠近基底。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请要求于2019年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0163652号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
随着对半导体装置的相对高性能、相对高速度和/或多功能的需求增大，半导体装置的集成程度的需求也增大。为了制造具有与相对高集成度对应的精细图案的半导体装置，会需要制造具有精细宽度或精细间隔距离的图案的设备。此外，为了克服由于平面金属氧化物半导体FET(MOSFET)的尺寸减小而引起的操作特性的限制，已经努力开发包括具有三维沟道的FinFET的半导体装置。
技术实现思路
本专利技术构思的方面提供了一种具有改善的电特性的半导体装置。根据本专利技术构思的一些方面，一种半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，位于接触插塞的侧壁上，其中，接触插塞本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n基底，包括在第一方向上延伸的有源区；/n栅极结构，与所述有源区交叉并且在第二方向上延伸；/n源区/漏区，在所述有源区上位于所述栅极结构的至少一侧上；/n接触插塞，在所述源区/漏区上位于所述栅极结构的所述至少一侧上；以及/n接触绝缘层，位于所述接触插塞的侧壁上，/n其中，所述接触插塞的下端定位得比所述源区/漏区的下端靠近所述基底。/n

【技术特征摘要】
20191210 KR 10-2019-01636521.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底，包括在第一方向上延伸的有源区；
栅极结构，与所述有源区交叉并且在第二方向上延伸；
源区/漏区，在所述有源区上位于所述栅极结构的至少一侧上；
接触插塞，在所述源区/漏区上位于所述栅极结构的所述至少一侧上；以及
接触绝缘层，位于所述接触插塞的侧壁上，
其中，所述接触插塞的下端定位得比所述源区/漏区的下端靠近所述基底。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞在所述第二方向上的长度比所述源区/漏区在所述第二方向上的长度大。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触绝缘层在所述第二方向上与所述源区/漏区的端部间隔开。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当在平面图中观察时，所述接触绝缘层围绕所述接触插塞。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源区/漏区的上表面在所述第一方向上具有平面形状，并且其中，所述接触插塞与所述源区/漏区的所述上表面接触。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层与所述源区/漏区的外表面的一部分接触，并且与所述接触插塞接触。


7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，当在沿着所述第二方向的剖视图中观察时，所述源区/漏区包括从所述有源区在向上方向上倾斜地延伸的第一表面，
其中，所述侧壁绝缘层定位在所述第一表面上。


8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，当在平面图中观察时，所述侧壁绝缘层与所述源区/漏区完全叠置。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构的下表面与所述接触插塞的下表面以距所述基底相同的距离定位，或者所述栅极结构的所述下表面定位得比所述接触插塞的所述下表面靠近所述基底。


10.根据权利要求1至权利要求9中的任意一项所述的半导体装置，所述半导体装置还包括多个沟道层，所述多个沟道层位于所述有源区上，并且在与所述第一方向和所述第二方向垂直的竖直方向上彼此间隔开，
其中，所述栅极结构围绕所述多个沟道层。


11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
基底，具有第一区域和第二区域，并且包括在第一方向上延伸的有源区；
栅极结构，分别位于所述第一区域和所述第二区域上，与所述有源区交叉，并且在第二方向上延伸；
源区/漏区，在所述有源区上位于所述栅极结构的至少一侧上，并且在上端中包括金属-半导体层；
接触插塞...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩东焕，尹承燦，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR