半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法，所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层以及各自按其晶格对称性旋转后在垂直方向上均具有不同的解离面。本发明专利技术的半导体衬底具有特殊的晶格结构和力学结构，将半导体衬底设为复合型衬底结构，同样衬底厚度的条件下，可以减少半导体外延层施加的应力对半导体衬底产生的损害，从而减半导体衬底破碎的几率；同时可以减小工艺难度，增强半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法
本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法。
技术介绍
以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物越来越受到人们的重视，因为Ⅲ族氮化物可以广泛用作半导体照明的发光二极管(LED)和高功率电子器件。由于本征衬底的缺乏，氮化镓器件普遍制备在异质衬底上，比如蓝宝石、碳化硅和硅。硅衬底由于其广泛的应用性，它的尺寸和质量都是在上述几种衬底材料当中最好的。目前互补金属氧化物半导体(CMOS)的主流技术就是基于12寸的硅基板，而且硅的价格也是其他几种材料不能比拟的。所以，在大尺寸硅衬底上制备氮化镓材料，是降低氮化镓基器件成本的最佳办法。但是，由于氮化镓和硅之间存在巨大的晶格失配和热失配，在制备和冷却的过程中会引入大量的应力。这个应力会造成外延片的翘曲和外延膜的龟裂，另外对硅衬底本身也有很大的伤害。由于硅衬底中残余的应力，在工艺过程中硅上的氮化镓外延片会发生破碎，造成巨大的损失。为了避免这种情况，通常的办法是采用厚的硅基板，但是工艺线对衬底的厚度都存在一个上限。当硅衬底的厚度超过一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层、所述第一半导体层按其晶格对称性旋转后与所述第二半导体层、所述第一半导体层与所述第二半导体层按其晶格对称性旋转后、以及所述第一半导体层按其晶格对称性旋转后与所述第二半导体层按其晶格对称性旋转后在垂直方向上均具有不同的解离面。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层、所述第一半导体层按其晶格对称性旋转后与所述第二半导体层、所述第一半导体层与所述第二半导体层按其晶格对称性旋转后、以及所述第一半导体层按其晶格对称性旋转后与所述第二半导体层按其晶格对称性旋转后在垂直方向上均具有不同的解离面。


2.根据权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层的材料相同或不同。


3.根据权利要求2所述的半导体衬底，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层具有相同的晶格结构，第一半导体层和第二半导体层在垂直方向上具有相同的晶向、在水平方向上的晶向不重合。


4.根据权利要求2所述的半导体衬底，其特征在于，所述第一半导体层和第二半导体层的晶体结构不同，第一半导体层和第二半导体层在水平方向的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，
申请(专利权)人：陈峰，
类型：发明
国别省市：江苏;32