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本发明公开了一种半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法，所述半导体衬底包括第一半导体层以及位于所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层以及各自按其晶格对称性旋转后在垂直方向上均具有不同的解离面。本发明的半导体衬底...
该专利属于陈峰所有，仅供学习研究参考，未经过陈峰授权不得商用。

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