半导体结构的形成方法、晶体管技术

一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的鳍部，衬底包括稠密区和稀疏区，稠密区中鳍部的分布密度高于稀疏区中鳍部的分布密度；形成覆盖鳍部的第一隔离材料膜；采用臭氧对第一隔离材料膜进行固化处理，形成第一隔离材料层；对第一隔离材料层进行第一退火处理，形成第一隔离层；去除第一隔离层，在鳍部上保形覆盖第一保护层；形成第一保护层后，形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁。本发明专利技术实施例通过依次经过臭氧处理和第一退火处理，使位于稠密区中边缘位置处的鳍部预先向稀疏区弯曲，形成第一保护层使得稠密区中边缘区域的鳍部向稠密区内部弯曲，使得鳍部具有较好的形貌质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法、晶体管
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法、晶体管。
技术介绍
在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极结构对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinchoff)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthresholdleakage)现象，即所谓的短沟道效应(SCE：short-channeleffects)更容易发生。因此，为了减小短沟道效应的影响，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，包括衬底和位于所述衬底上的鳍部，所述衬底包括稠密区和稀疏区，所述稠密区中所述鳍部的分布密度高于所述稀疏区中所述鳍部的分布密度；/n形成覆盖所述鳍部的第一隔离材料膜；/n采用臭氧对所述第一隔离材料膜进行固化处理，形成第一隔离材料层；/n对所述第一隔离材料层进行第一退火处理，形成第一隔离层；/n去除所述第一隔离层；/n去除所述第一隔离层后，在所述鳍部上保形覆盖第一保护层；/n形成所述第一保护层后，形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，包括衬底和位于所述衬底上的鳍部，所述衬底包括稠密区和稀疏区，所述稠密区中所述鳍部的分布密度高于所述稀疏区中所述鳍部的分布密度；
形成覆盖所述鳍部的第一隔离材料膜；
采用臭氧对所述第一隔离材料膜进行固化处理，形成第一隔离材料层；
对所述第一隔离材料层进行第一退火处理，形成第一隔离层；
去除所述第一隔离层；
去除所述第一隔离层后，在所述鳍部上保形覆盖第一保护层；
形成所述第一保护层后，形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供所述基底后，形成所述第一隔离材料膜前，还包括：形成保形覆盖所述鳍部的第二保护层；
去除所述第一隔离层的过程中，去除所述第二保护层；
在所述鳍部上保形覆盖第一保护层的步骤中，所述第一保护层的厚度大于所述第二保护层的厚度。


3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的材料包括氧化硅、氮氧化硅或者氧化硅和位于氧化硅上氮化硅组成的叠层结构。


4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的厚度为3纳米至6纳米。


5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积或者原子层沉积工艺形成所述第二保护层。


6.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用臭氧对所述第一隔离材料膜进行固化处理的工艺参数包括：臭氧的流量范围为10000sccm至20000sccm，固化温度为100℃至200℃，实施固化处理的压强为400torr至800torr。


7.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：马启锋，刘云珍，蔡国辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31