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一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的鳍部，衬底包括稠密区和稀疏区，稠密区中鳍部的分布密度高于稀疏区中鳍部的分布密度；形成覆盖鳍部的第一隔离材料膜；采用臭氧对第一隔离材料膜进行固化处理，形成第一隔离...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。