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提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括在第一方向上延伸的有源区；栅极结构，与有源区交叉并且在第二方向上延伸；源区/漏区，在有源区上位于栅极结构的至少一侧上；接触插塞，在源区/漏区上位于栅极结构的所述至少一侧上；以及接触绝缘层，...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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