本发明专利技术提供种处理基坑内降水的装置，包括：抽水基台；过滤框网，固定设置于所述抽水基台的下端面，所述过滤框网与所述抽水基台围成一抽水空间；分级水管，多个分级水管呈环形设置于所述抽水基台的下方，多个所述分级水管的上端共同与抽水装置连接；深度支管，所述分级水管自上而下的设置有多个深度支管，所述深度支管与所述分级水管连通；中部探底抽水管，所述抽水基台的下端面中间还设置有与抽水装置连通的中部探底抽水管，所述中部探底抽水管贯穿所述过滤框网的底部。通过分层次排水的装置对基坑内的积水进行处理，不仅能有效彻底的将积水排出，而且能够有效适应各种形状的基坑，无需更换配合应用组件，方便快捷。方便快捷。方便快捷。
【技术实现步骤摘要】
一种处理基坑内降水的装置
[0001]本专利技术涉及建筑施工
，具体涉及一种处理基坑内降水的装置。
技术介绍
[0002]建筑物施工时经常需要开挖深基坑，而在降水较多的地区，地基含水量较高、地下水水位高，且地基土质较松，因此深基坑的支撑结构会受到很大的侧向压力，并且深基坑侧壁上容易出现局部涌水的问题，为解决该问题，通常需在深基坑内设置一排放装置用于处理基坑内降水的。
[0003]现有的排水装置是利用抽水泵将基坑内积水排出，但是这种排水装置无法适应所有各种地形的基坑，对于一些底部形状不规则的基坑，现有的排水装置无法有效处理该基坑的降水。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种处理基坑内降水的装置来解决上述难题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种处理基坑内降水的装置，包括：
[0006]抽水基台；
[0007]过滤框网，固定设置于所述抽水基台的下端面，所述过滤框网与所述抽水基台围成一抽水空间；
[0008]分级水管，多个分级水管呈环形设置于所述抽水基台的下方，多个所述分级水管的上端共同与抽水装置连接；
[0009]深度支管，所述分级水管自上而下的设置有多个深度支管，所述深度支管与所述分级水管连通；
[0010]中部探底抽水管，所述抽水基台的下端面中间还设置有与抽水装置连通的中部探底抽水管，所述中部探底抽水管贯穿所述过滤框网的底部。
[0011]作为本专利技术的一种改进，所述过滤框网为锥形结构，其横截面面积自上而下逐渐减小。
[0012]作为本专利技术的一种改进，所述分级水管竖直而立，且所述分级水管上的深度支管设置在深度不同的水平面。
[0013]作为本专利技术的一种改进，所述中部探底抽水管包括：
[0014]固定上管，上端固定于所述抽水基台的下方且与所述抽水装置连通，其下端内部套设有下放管；
[0015]下放管，活动嵌接于所述固定上管的内部空腔中，所述下放管上下活动的置于所述固定上管的内部；
[0016]密封上套，套接于所述固定上管的外周，所述密封上套的内壁设有挡环，所述挡环与所述固定上管的下端面固定接触；
[0017]密封下套，套接于所述下放管的外周，所述密封下套的内部设有密封空腔，所述密
封空腔用于容纳密封上套；
[0018]间隙填充垫，所述密封下套的内壁与所述密封上套的外壁之间设置有间隙填充垫。
[0019]作为本专利技术的一种改进，所述密封上套的下部外围设有外螺纹，所述密封下套的内壁设有内螺纹，所述外螺纹与内螺纹配合连接。
[0020]作为本专利技术的一种改进，所述下放管的下端设置有过滤端头，所述过滤端头的上部端通过内接头固定于所述下放管的下端，所述过滤端头的下部端固定有砂石过滤套，所述砂石过滤套呈罩壳结构且与所述过滤端头固定连接。
[0021]作为本专利技术的一种改进，所述抽水基台的侧壁处还设有扩径组件，中心主动轮，转动设置于所述抽水基台的正中间，其外周设有传动齿；
[0022]半幅从动轮，所述抽水基台上还转动设置有半幅从动轮，所述中心主动轮的四侧分别设置有对称而立的两个半幅从动轮，所述半幅从动轮的外周设有半幅的传动齿，每个所述半幅从动轮均与所述中心主动轮啮合传动连接；
[0023]扩径臂，分为转动臂和伸缩臂，所述转动臂的一端与所述半幅从动轮固定连接，另一端与伸缩臂的内端铰接，所述伸缩臂的外端为自由端；
[0024]限圈杆，一端铰接于所述抽水基台，另一端铰接于伸缩臂的中部。
[0025]作为本专利技术的一种改进，所述炉壁连接件与板壁连接件之间设有距离传感器，所述距离传感器连接于一个控制电路，所述控制电路包括：电源、三极管Q1、PMOS管Q2、信号接收端IO1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、电感M1、第一电容F1、第二电容F2、第三电容F3；
[0026]所述电源分别连接于所述PMOS管Q2的源极，以及所述第一电阻R1的一端；
[0027]所述三极管Q1的基极与信号接收端IO1连接，所述三极管Q1的集电极分别与第一电阻R1的另一端以及所述PMOS管Q2的栅极连接，所述三极管Q1的发射极接地；
[0028]所述PMOS管Q2的漏电极分别与所述第三电阻R3的一端、所述第六电阻R6的一端以及所述第四电阻R4的一端连接，所述PMOS管Q2的源极和栅极之间连接有反相串联的二极管；
[0029]所述第一电阻R1的另一端与所述第二电阻R2的一端连接；
[0030]所述第二电阻R2的另一端与所述电感M1的一端连接；
[0031]所述第三电阻R3的另一端与所述电感M1的一端连接；
[0032]所述第四电阻R4的另一端与所述电感M1的一端连接；
[0033]所述第五电阻R5的一端与所述电感M1的另一端连接，所述第五电阻R5的另一端、第六电阻R6的另一端分别与所述第三电容F3的一端连接；
[0034]所述电感M1的一端分别与所述压力传感器第一接出端、所述压力传感器第二接出端连接，所述电感M1的另一端与所述第二电容F2的一端连接；
[0035]所述第一电容F1连接于所述压力传感器第一接出端、所述压力传感器第二接出端；
[0036]所述第二电容F2的另一端接地；
[0037]所述第三电容F3的另一端接地。
[0038]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变
得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0039]下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0040]图1为本专利技术的结构示意图；
[0041]图2为本专利技术的中部探底抽水管的结构示意图；
[0042]图3为本专利技术的扩径组件的结构示意图；
[0043]图4为本专利技术的扩径组件的另一个状态示意图；
[0044]图5为本专利技术的控制电路图。
[0045]图中各构件为：
[0046]10
‑
抽水基台，
[0047]20
‑
过滤框网，21
‑
抽水空间，
[0048]30
‑
分级水管，31
‑
深度支管，
[0049]40
‑
抽水装置，
[0050]50
‑
中部探底抽水管，51
‑
固定上管，52
‑
下放管，53
‑
密封上套，54
‑
挡环，55
‑
密封下套，56
‑
间隙填充垫，
[0051]60
‑
过滤端头，61
‑
内接头，62
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理基坑内降水的装置，其特征在于，包括：抽水基台(10)；过滤框网(20)，固定设置于所述抽水基台(10)的下端面，所述过滤框网(20)与所述抽水基台(10)围成一抽水空间(21)；分级水管(30)，多个分级水管(30)呈环形设置于所述抽水基台(10)的下方，多个所述分级水管(30)的上端共同与抽水装置(40)连接；深度支管(31)，所述分级水管(30)自上而下的设置有多个深度支管(31)，所述深度支管(31)与所述分级水管(30)连通；中部探底抽水管(50)，所述抽水基台(10)的下端面中间还设置有与抽水装置(40)连通的中部探底抽水管(50)，所述中部探底抽水管(50)贯穿所述过滤框网(20)的底部；所述抽水基台(10)的侧壁处还设有扩径组件(70)，中心主动轮(71)，转动设置于所述抽水基台(10)的正中间，其外周设有传动齿；半幅从动轮(72)，所述抽水基台(10)上还转动设置有半幅从动轮(72)，所述中心主动轮(71)的四侧分别设置有对称而立的两个半幅从动轮(72)，所述半幅从动轮(72)的外周设有半幅的传动齿，每个所述半幅从动轮(72)均与所述中心主动轮(71)啮合传动连接；扩径臂(73)，分为转动臂(731)和伸缩臂(732)，所述转动臂(731)的一端与所述半幅从动轮(72)固定连接，另一端与伸缩臂(732)的内端铰接，所述伸缩臂(732)的外端为自由端；限圈杆(74)，一端铰接于所述抽水基台(10)，另一端铰接于伸缩臂(732)的中部。2.根据权利要求1所述的一种处...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡鹏飞，韦玉强，
申请(专利权)人：盐城笃诚建设有限公司，
类型：发明
国别省市：
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