用于处理基板的方法和用于处理基板的装置制造方法及图纸

提供一种用于处理基板的方法，用于处理所述基板的所述方法包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等离子体状态的处理气体执行预处理以对形成在所述基板上的所述膜进行表面处理；以及通过在所述预处理之后将处理液体供应到所述基板上来执行液体处理以从所述基板去除所述膜。所述膜。所述膜。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的方法和用于处理基板的装置


[0001]本文所公开的本专利技术构思的实施例涉及用于处理基板的方法和装置，并且更具体地涉及用于从基板去除膜的方法和装置。

技术介绍

[0002]通常，通过重复执行诸如薄膜沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、清洁工艺和抛光工艺的各种单元工艺来制造半导体器件。
[0003]其中，蚀刻工艺是去除由基板形成的膜。膜可以是用于形成图案的薄膜或天然氧化膜。取决于用于执行工艺的方式，将蚀刻工艺分为湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺。
[0004]根据干蚀刻工艺，使用等离子体蚀刻基板上的膜。通常，通过允许包含在等离子体中的离子粒子与基板碰撞来执行干蚀刻工艺。等离子体是指包含离子、电子和自由基的电离气体的状态。通常，为了形成等离子体，电磁场形成在腔室的内部空间中，并且电磁场将设置在腔室中的工艺气体激发成等离子体状态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。
[0005]干蚀刻工艺可以更高的精度蚀刻基板中的精细图案。然而，根据干蚀刻工艺，诸如包括碳(C)、氧(O)、氮(N)和氟(F)的聚合物的副产物产生并且粘到基板的外围部分。另外，基板可以容易被等离子体损坏。
[0006]通常，根据湿蚀刻工艺，在基板旋转的同时通过液体供应喷嘴将蚀刻剂施加到基板，使得蚀刻剂通过离心力散布在基板的整个表面上，从而蚀刻基板。
[0007]湿蚀刻工艺具有低成本、更高的蚀刻速度和更高的选择性的优点。然而，根据湿蚀刻工艺，有毒废物由蚀刻剂产生，并且蚀刻剂被供应到旋转的基板的中央区域，使得基板的中央区域比基板的边缘区域被蚀刻得更多。

技术实现思路

[0008]本专利技术构思的实施例提供用于处理基板的方法和用于处理基板的装置，其能够在蚀刻基板的过程中最小化对基板的损坏。
[0009]本专利技术构思的实施例提供用于处理基板的方法和用于处理基板的装置，其能够在蚀刻基板的过程中最小化副产物。
[0010]本专利技术构思的实施例提供用于处理基板的方法和用于处理基板的装置，其能够在蚀刻基板的过程中最小化所使用的蚀刻剂的量。
[0011]本专利技术构思的实施例提供用于处理基板的方法和用于处理基板的装置，其能够在蚀刻基板的过程中提高所使用的蚀刻效率。
[0012]本专利技术构思的实施例提供用于处理基板的方法和用于处理基板的装置，其能够在蚀刻基板的过程中在基板的整个区域中提供均匀的蚀刻程度。
[0013]本专利技术构思提供用于处理基板的方法。根据示例性实施例，用于处理基板的方法可以包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等离子体状态的处理气体执行预处理以对形
成在所述基板上的所述膜进行表面处理；以及通过在所述预处理之后将处理液体供应到所述基板上来执行液体处理以从所述基板去除所述膜。
[0014]根据一个实施例，所述表面处理可以包括在不蚀刻所述膜的情况下改变所述膜的性质。
[0015]根据一个实施例，在预处理中，供应到基板的边缘区域的等离子体的量可以不同于供应到基板的中央区域的等离子体的量。
[0016]根据一个实施例，在液体处理步骤中，处理液体可以供应在旋转的基板上。
[0017]根据一个实施例，在基板旋转的同时，处理液体固定在与基板的中央区域相对的位置处。
[0018]根据一个实施例，膜可以是天然氧化膜。
[0019]根据一个实施例，处理气体可以包括氢原子。
[0020]根据一个实施例，处理气体可以包括氢气氨气。
[0021]根据一个实施例，处理液体可以包括氟。
[0022]另外，本专利技术构思提供用于处理基板的装置。根据示例性实施例，用于处理基板的装置可以包括：等离子体处理单元，用于通过供应等离子体状态的处理气体来处理所述基板的表面；液体处理单元，用于通过将处理液体供应到所述基板上来从所述基板去除膜；传送单元，用于在所述等离子体处理单元与所述液体处理单元之间传送所述基板；以及控制器，用于控制所述等离子体处理单元、所述液体处理单元和所述传送单元。所述控制器可以在从所述基板去除所述膜时控制所述等离子体处理单元、所述液体处理单元和所述传送单元，以在所述等离子体处理单元中使用所述等离子体状态的所述处理气体来处理所述基板的所述膜的表面，并且在将所述基板从所述等离子体处理单元传送到所述液体处理单元之后，在所述液体处理单元中使用所述处理液体来从所述基板去除所述膜。
[0023]根据一个实施例，所述表面处理可以包括在不蚀刻所述膜的情况下改变所述膜的性质。
[0024]根据一个实施例，所述等离子体处理单元包括处理腔室，在所述处理腔室内具有处理空间；用于支撑所述基板的支撑单元；气体供应单元，用于将所述处理气体供应到所述处理腔室中；以及等离子体源，用于使所述处理气体处于等离子体状态。
[0025]根据一个实施例，所述气体供应单元可以被设置为调节供应到所述基板的中央区域的气体的量和供应到所述基板的边缘区域的气体的量。
[0026]根据一个实施例，所述等离子体处理单元还可以包括用于将所述处理气体供应到所述处理腔室中的喷头。所述喷头可以包括中央区域供应单元，用于将所述处理气体喷射到所述基板的所述中央区域；以及边缘区域供应单元，用于将所述处理气体喷射到所述基板的所述边缘区域。所述控制器可以控制所述气体供应单元，使得通过所述边缘区域供应单元供应的所述处理气体的量大于通过所述中央区域供应单元供应的所述处理气体的量。
[0027]根据一个实施例，所述液体处理单元可以包括杯状件，在所述杯状件中具有处理空间；支撑单元，用于将所述基板支撑在所述处理空间中并且被可旋转地设置；以及液体供应单元，用于将所述处理液体供应到支撑到所述支撑单元的所述基板。
[0028]根据一个实施例，所述液体供应单元可以将处理液体供应到旋转的所述基板的所述中央区域。
[0029]根据一个实施例，所述液体供应单元可以包括用于将所述处理液体供应到所述基板上的喷嘴，并且所述喷嘴可以被设置成固定在与所述基板的所述中央区域相对的位置处。
附图说明
[0030]根据以下参考附图的描述，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则相同附图标记在各个附图中是指相同部分，并且其中：
[0031]图1是示意性地示出根据本专利技术构思的实施例的用于处理基板的设备的图；
[0032]图2是示出根据本专利技术构思的实施例的等离子体处理单元的剖视图；
[0033]图3是示出根据本专利技术构思的实施例的液体处理单元的剖视图；
[0034]图4是示出根据本专利技术构思的实施例的用于处理基板的方法的流程图；并且
[0035]图5至图8是按顺序示出根据本专利技术构思的实施例的用于处理基板的方法的图。
具体实施方式
[0036]可以各种形式修改本专利技术构思的实施例，并且本专利技术构思的范围不应被解释为由以下描述的本专利技术构思的实施例限制。提供本专利技术构思的实施例以为本领域技术人员更完整地描述本专利技术构思。因此，附图中的部件的形状等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等离子体状态的处理气体执行预处理，以对形成在所述基板上的所述膜进行表面处理；以及通过在所述预处理之后将处理液体供应到所述基板上来执行液体处理，以从所述基板去除所述膜。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面处理包括：在不蚀刻所述膜的情况下改变所述膜的性质。3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述预处理中，被供应到所述基板的边缘区域的、每单位面积所述基板的所述处理气体的量不同于被供应到所述基板的中央区域的、每单位面积所述基板的所述处理气体的量。4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述预处理中，被供应到所述基板的所述边缘区域的、每单位面积所述基板的所述处理气体的量大于被供应到所述基板的所述中央区域的、每单位面积所述基板的所述处理气体的量。5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在所述液体处理中，所述处理液体被供应到旋转的所述基板上，并且其中在所述基板正在旋转的同时，所述处理液体在固定位置处被供应到所述基板的中央区域。6.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述膜是天然氧化膜。7.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述处理气体包括氢原子。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述处理气体包括氢气或氨气。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述处理液体包括氟。10.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：等离子体处理单元，其被配置为通过供应等离子体状态的处理气体来处理所述基板的表面；液体处理单元，其被配置为通过将处理液体供应到所述基板上来从所述基板去除膜；传送单元，其被配置为在所述等离子体处理单元与所述液体处理单元之间传送所述基板；以及控制器，其被配置为控制所述等离子体处理单元、所述液体处理单元和所述传送单元，其中所述控制器被配置为：在从所述基板去除所述膜时，控制所述等离子体处理单元、所述液体处理单元和所述传送单元，以在所述等离子体处理单元中使用所述等离子体状态的所述处理气体来处理所述基板的所述膜的表面，并且在将所述基板从所述等离子体处理单元传送到所述液体处理单元之后，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李知桓，李城吉，吴东燮，卢明燮，金东勋，朴玩哉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：