【技术实现步骤摘要】
标记装置
[0001]本专利技术属于微纳加工
，具体地讲，涉及一种标记装置。
技术介绍
[0002]在微纳加工以及半导体材料的生长、处理和表征中，超高真空互联被公认为是解决表界面关键问题的有效技术，而且现有技术中很多实验室已经利用这种技术，将薄膜材料生长和表征分析手段互联起来，在真空的环境下对材料的本征性质进行广泛深入地研究，也取得了很多令人瞩目的结果。
[0003]在超高真空互联设施中，一个样品需要经过多个超高真空的设备的加工工艺和表征，由于工艺复杂繁多，为了质量管理和智能化，样品经过的设备的顺序和工艺需要进行标记。
[0004]传统的标记手段主要包括人工手动录入、激光打二维码和贴标签的方式。然而，人工手动录入不利于质量管理，容易引入人为因素而导致的错误和失败。由于超高真空工艺的复杂，人工手动记录会逐渐跟不上工艺流程，而且人工费用较高，导致研发成本的进一步上升。对于通过激光打二维码进行标记的方式，如果样品放置于样品托盘上，激光在样品托上打上二维码的方式对于样品托盘是破坏性的，这样样品托盘将无法重复使用...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种标记装置，其特征在于，包括：承托部，所述承托部用于承托待标记对象，所述待标记对象具有已设定好的标记区域；掩膜版，所述掩膜版固定于所述承托装置上；标记部，所述标记部用于通过所述掩膜版在所述标记区域上形成对象标记。2.根据权利要求1所述的标记装置，其特征在于，所述对象标记为二维标记。3.根据权利要求1或2所述的标记装置，其特征在于，所述标记区域邻近或者包含所述待标记对象的截止边。4.根据权利要求3所述的标记装置，其特征在于，所述承托部包括：架板和承载叉，所述架板上具有槽延伸方向彼此平行的第一插槽和第二插槽，所述承载叉包括第一杆、第二杆和第三杆，所述第二杆和所述第三杆由所述第一杆的同一表面的相对两端分别向相同方向延伸形成，所述第二杆的长度方向平行于所述第三杆的长度方向，且垂于所述第一杆的长度方向，所述第一杆和所述掩膜版分别插置于所述第一插槽和所述第二插槽内。5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：伍莹，孙骏逸，陆晓鸣，丁孙安，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。