【技术实现步骤摘要】
存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
[0001]本文中揭示的实施例涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。
技术介绍
[0002]存储器是一种类型的集成电路系统，且用于在计算机系统中存储数据。存储器可被制造成个别存储器单元的一或多个阵列。存储器单元可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)写入或读取。感测线可沿着阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。
[0003]存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在缺少电力的情况下长时间存储数据。非易失性存储器通常专指具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器耗散且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以使存储器以至少两种不同可选择状态保留或存储。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：形成衬底及堆叠，所述衬底包括包含上导体材料及下导体材料的导体层，所述堆叠包括所述导体层上方的垂直交替的第一层及第二层；穿过所述堆叠到所述上导体材料及所述下导体材料形成水平伸长的沟槽，所述上导体材料及所述下导体材料中的至少一者在所述沟槽中具有暴露的催化表面；将金属材料无电沉积到所述催化表面上以覆盖所述沟槽内的所述上导体材料及所述下导体材料；及形成延伸穿过所述第二层及所述第一层的存储器单元的沟道材料串。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述催化表面包括Ti、Ni、W、Co、Cu、Mo、Au及Pd中的至少一者。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述上导体材料及所述下导体材料中的仅一者具有所述暴露的催化表面。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述上导体材料及所述下导体材料中的两者都具有所述暴露的催化表面。5.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述沟槽以使其具有在所述下导体材料顶上的个别底部。6.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述沟槽以使其具有在所述下导体材料内的个别底部。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述下导体材料包括低导体材料及直接在所述低导体材料顶上且直接抵靠所述上导体层的中介导体材料，所述中介导体材料包括所述催化表面。8.根据权利要求7所述的方法，其包括形成所述沟槽以使其具有在所述中介导体材料顶上或中的个别底部。9.根据权利要求7所述的方法，其包括形成所述沟槽以使其具有在所述低导体材料顶上或中的个别底部。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述中介导体材料在最初形成时本质上包括所述催化表面的催化材料。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述上导体材料及所述下导体材料中的所述至少一者在最初形成时本质上包括所述催化表面的催化材料。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述上导体材料及所述下导体材料中的在最初形成时本质上包括所述催化表面的所述催化材料的所述至少一者是所述下导体材料。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述上导体材料及所述下导体材料中的在最初形成时本质上包括所述催化表面的所述催化材料的所述至少一者仅是所述下导体材料。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述上导体材料及所述下导体材料中的所述至少一者在最初形成时本质上不包括所述催化表面的催化材料。15.根据权利要求14所述的方法，其包括：直接抵靠所述上导体材料及所述下导体材料中的在最初形成时本质上不包括催化材料的所述至少一者形成本质上催化材料，以形成所述催化表面。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述无电沉积形成所述金属材料以使其具有在所
述第一层中的最下者的传导材料的底部下方的顶部。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述无电沉积形成所述金属材料以使其具有在所述第一层中的最下者的传导材料的底部上方的顶部，且所述方法进一步包括在所述无电沉积之后使所述金属材料垂直凹进以将所述顶部移到所述底部下方。18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层包括牺牲材料，且所述方法进一步包括：在所述无电沉积之后，各向同性地蚀除所述第一层中的所述牺牲材料...
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