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本申请案涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括：形成衬底及堆叠，所述衬底包括包含上导体材料及下导体材料的导体层，所述堆叠包括所述导体层上方的垂直交替的第一层及第二层。穿过所述堆叠到所述上...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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