【技术实现步骤摘要】
存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
[0001]本文中所公开的实施例涉及存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。
技术介绍
[0002]存储器是一种集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造于各个存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。感测线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，且存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。
[0003]存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。通常将非易失性存储器指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保留时间。无论如何，存储器单元被配置成在至少两个不同的可选择状态保留或存储存储内容。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，第一绝缘体材料在所述堆叠上方；所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，以及碳、氧、硼和磷中的一或多个，且(b)：碳化硅；沟道材料串处于所述堆叠正上方的最上部材料中并且从所述最上部材料向上突起，导电材料直接抵靠所述向上突起的沟道材料串中各自的横向内侧部并且从所述个别向上突起的沟道材料串向上突起；形成各自周向围绕所述向上突起导电材料包括绝缘材料的圆环；在所述第一绝缘体材料、所述圆环和所述向上突起导电材料上方形成第二绝缘体材料；所述第一绝缘体材料和第二绝缘体材料包括相对彼此不同的组成；和在所述第二绝缘体材料中形成导电通孔，所述导电通孔各自通过所述向上突起导电材料直接电耦合到所述个别沟道材料串。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二绝缘体材料在所述圆环旁边形成。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二绝缘体材料直接抵靠所述圆环的侧表面形成。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述圆环直接抵靠所述向上突起导电材料形成。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电通孔在所述圆环旁边形成。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述导电通孔直接抵靠所述圆环的侧表面形成。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电通孔形成在所述圆环顶上。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述导电通孔直接抵靠所述圆环的顶部表面形成。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述导电通孔直接抵靠所述圆环的侧表面形成。10.根据权利要求1所述的方法，其包括直接抵靠所述第一绝缘体材料形成所述圆环。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述圆环不直接抵靠所述第一绝缘体材料形成。12.根据权利要求1所述的方法，其包括形成竖直延伸到所述第一绝缘体材料中的所述导电通孔。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料和所述第一绝缘体材料包括相对彼此不同的组成。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个包括所述(a)。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一绝缘体材料中的碳、氧、硼和磷中的所述一或多个具有至少约2原子％的总浓度。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述总浓度不大于约20原子％。17.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一绝缘体材料中的碳、氧、硼和磷中的所述一或多个具有至少约4原子％的总浓度。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述总浓度是至少约10原子％。19.根据权利要求14所述的方法，其中所述一或多个包括碳。20.根据权利要求14所述的方法，其中所述一或多个包括氧。21.根据权利要求14所述的方法，其中所述一或多个包括硼。22.根据权利要求14所述的方法，其中所述一或多个包括磷。23.根据权利要求14所述的方法，其中所述一或多个包括碳、氧、硼和磷中的仅一个。24.根据权利要求14所述的方法，其中所述一或多个包括碳、氧、硼和磷中的至少两个。
25.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个包括所述(b)。26....
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。