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本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。第一绝缘体材料在所述堆叠上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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