垂直型非易失性存储器装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了垂直型非易失性存储器装置及其制造方法。所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括接触件；沟道结构，从基底沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；多个划分区，沿第一方向延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上划分单元阵列区和延伸区；在延伸区中，两个绝缘层坝布置在彼此相邻的两个划分区之间；第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；以及电极垫，连接到延伸区中的第一栅电极层。延伸区中的第一栅电极层。延伸区中的第一栅电极层。

【技术实现步骤摘要】
垂直型非易失性存储器装置及其制造方法
[0001]本申请要求于2019年11月14日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0146171号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思涉及一种非易失性存储器装置及其制造方法，更具体地，涉及一种具有增加的集成密度的拥有垂直沟道结构的非易失性存储器装置及其制造方法。

技术介绍

[0003]非易失性存储器是一种计算机存储器，即使其在已经被电力循环之后也可以寻回所存储的信息。包括非易失性存储器的装置被越来越多地使用。例如，MP3播放器、数码相机、移动电话、便携式摄像机、闪存卡和固态盘(SSD)使用非易失性存储器进行存储。在非易失性存储器之中，闪存存储器可以电地且共同地擦除单元的数据，并且因此替代硬盘而被广泛地用作存储装置。然而，随着闪存存储器的存储容量增加，期望一种有效地利用闪存存储器的存储空间的方法。因此，可以采用包括垂直晶体管结构而不是平面晶体管结构的非易失性存储器装置。

技术实现思路

[0004]根据专利技术构思的一个示例性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直型非易失性存储器装置，所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括竖直接触件；竖直沟道结构，从基底的顶表面沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着竖直沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；多个划分区，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向将单元阵列区和延伸区划分为多个单元；两个绝缘层坝，在延伸区中，布置在所述多个划分区中的沿第二方向彼此相邻的两个划分区之间，其中，所述两个绝缘层坝沿第一方向延伸；第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；以及电极垫，连接到延伸区中的栅电极层中的第一栅电极层。2.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，第一堆叠结构从单元阵列区延伸到所述划分区中的一个划分区与延伸区中的所述绝缘层坝中的一个绝缘层坝之间的区域，电极垫包括位于第一堆叠结构上的第一垫区域和位于第二堆叠结构上的第二垫区域，并且竖直接触件中的一个穿透第二垫区域并且插入到第二堆叠结构中。3.根据权利要求2所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，沿竖直方向，第一垫区域比单元阵列区中的栅电极层厚。4.根据权利要求2所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，第一垫区域和第二垫区域在所述一个绝缘层坝的顶表面上彼此连接，并且第一垫区域连接到对应的栅电极层。5.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，电极垫被在所述两个绝缘层坝之间的沿第一方向延伸的垫间隙划分为第一电极垫和第二电极垫，并且竖直接触件连接到第一电极垫和第二电极垫中的每个。6.根据权利要求5所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，第一电极垫和第二电极垫中的每个的沿第一方向的端部沿竖直方向具有彼此不同的高度。7.根据权利要求5所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，栅电极层在延伸区中沿第一方向具有台阶结构，与第一电极垫对应的栅电极层每两层具有台阶结构，而单个奇数编号的栅电极层构成上层，与第二电极垫对应的栅电极层每两层具有台阶结构，而单个偶数编号的栅电极层构成上层，第一电极垫连接到奇数编号的栅电极层，并且第二电极垫连接到偶数编号的栅电极层。8.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，在单元阵列区中，沿第一方向延伸的另一划分区布置在沿第二方向彼此相邻的所述两个划分区之间。9.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，竖直沟道结构具有位于单
元阵列区中的第一竖直沟道结构和位于延伸区中的第二竖直沟道结构，并且第二竖直沟道结构布置在延伸区中的其中形成有第一堆叠结构的部分中。10.一种垂直型非易失性存储器装置，所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和从单元阵列区沿第一方向延伸的延伸区；竖直沟道结构，从基底的顶表面沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着竖直沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；划分区，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向将单元阵列区和延伸区划分为多个单元；两个绝缘层坝，在延伸区中，布置在沿第二方向彼此相邻的两个划分区之间，其中，所述两个绝缘层坝沿第一方向延伸；第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；电极垫，连接到栅电极层中的第一栅电极层并且布置在延伸区中，电极垫包括位于第一堆叠结构上的第一垫区域和位于第二堆叠结构上的第二垫区域；以及竖直接触件，布置在延伸区中并且经由电极垫的第二垫区域插入到第二堆叠结构中。11.根据权利要求10所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，电极垫沿竖直方向具有比单元阵列区的栅电极层中的每个栅电极层厚的凸起的垫结构，第一垫区域的下部部分与所述绝缘层坝中的一个绝缘层坝的侧表面接触，并且第一垫区域在所述一个绝缘层坝的顶表面上连接到第二垫区域。12.根据权利要求10所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，电极垫被在所述两个绝缘层坝之间的沿第一方向延伸的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金庆东，孙荣晥，韩智勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：