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公开了垂直型非易失性存储器装置及其制造方法。所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括接触件；沟道结构，从基底沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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