基板处理设备制造技术

一种能够最小化下部空间中的填充气体对基板处理的影响的基板处理设备包括：基板支撑单元；围绕基板支撑单元的至少一个环；基板支撑单元上的处理单元；以及排气单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中反应空间中的第一气体通过第一通道传输到排气单元，基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道传输到排气单元，并且第一通道和第二通道被至少一个环分离。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备相关申请的交叉引用本申请基于2019年11月29日在美国专利和商标局提交的美国专利申请号62/942038并且在35U.S.C.§119下要求其优先权，其全部内容通过引用合并于此。
一个或多个实施例涉及一种基板处理设备，更具体地，涉及一种具有改进的排气结构的基板处理设备。
技术介绍
在基板处理设备中，被引入到反应空间中的反应气体通过排气空间被排出到外部。然而，一些反应气体被引入加热块的底部，特别是反应器的底部，在其上安装有诸如基板安装部分的基座。特别地，当供应非均质气体时，反应副产物在室的下部空间中产生，并且这些反应副产物成为处理基板的污染物并降低装置的产率。另外，当使用高腐蚀性的清洁气体去除反应副产物时，存在的问题是室部件损坏并因此缩短了基板处理设备的寿命。为了防止供应到反应空间的反应气体流入反应器底部的问题，从反应器的底部供应气体。该气体也被称为填充气体，因为它填充了反应器的底部，并且通常使用诸如Ar或N2的惰性气体。填充气体使基板安装部分上的反应空间与反应器的下部空间之间的压力平衡，以防止反应气体进入反应器的下部空间。在美国专利公开号2018-0155836中公开了使用这种填充气体的基板处理设备构造。
技术实现思路
一个或多个实施例包括一种能够在使用填充气体实现反应空间和反应器下部空间之间的压力平衡时最小化填充气体对基板处理的影响的基板处理设备。其他方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。根据一个或多个实施例，一种基板处理设备包括：基板支撑单元；设置成围绕基板支撑单元的至少一个环；基板支撑单元上的处理单元；以及排气单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中，所述反应空间中的第一气体通过第一通道传输到排气单元，所述基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道传输到排气单元，并且所述第一通道和第二通道可以被所述至少一个环分离。根据基板处理设备的示例，至少一个环可以包括：外环，其设置成围绕基板支撑单元；以及流动控制环，其设置在基板支撑单元和外环之间。根据基板处理设备的另一示例，第一通道和第二通道可以被外环分离。根据基板处理设备的另一示例，流动控制环可以包括：第一部分，其设置成与基板支撑单元的至少一部分重叠；第二部分，其沿着基板支撑单元的侧面从第一部分延伸；以及第三部分，其设置成从第二部分与外环的至少一部分重叠。根据基板处理设备的另一示例，排气管道和外环中的至少一个可以包括弯曲结构，其中流动控制环的第二部分和外环彼此分开以形成空间，并且弯曲表面可以构造成有助于将位于空间中的反应气体排出到第一通道。根据基板处理设备的另一示例，基板处理设备还可以包括：支撑件，其构造为支撑处理单元和排气单元，第一通道可以形成在排气单元和外环之间，并且第二通道可以形成在外环和支撑件之间。根据基板处理设备的另一示例，基板支撑单元可以构造成可竖直移动，并且流动控制环可以构造成在基板支撑单元向上移动时与基板支撑单元和外环表面接触，并且随着基板支撑单元的竖直移动而上下移动。根据基板处理设备的另一示例，第一通道C1的排气效率和第二通道C2的排气效率可以根据基板支撑单元的竖直移动的程度而变化。根据基板处理设备的另一示例，第一通道和第二通道可以被流动控制环分离。根据基板处理设备的另一示例，流动控制环可以包括：第一部分，其设置成与外环的至少一部分重叠；以及第二部分，其沿着基板支撑单元的侧面从第一部分延伸。根据基板处理设备的另一示例，基板处理设备还可以包括支撑件，其构造为支撑处理单元和排气单元，第一通道可以形成在排气单元和流动控制环之间，并且第二通道可以形成在流动控制环和外环之间。根据基板处理设备的另一示例，基板支撑单元可以构造成可竖直移动，并且当基板支撑单元向上移动时，流动控制环可以在通过基板支撑单元的推力相对于外环滑动的同时自对准。根据一个或多个实施例，一种基板处理设备包括：基板支撑单元；设置成围绕基板支撑单元的至少一个环；基板支撑单元上的处理单元；以及排气单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中反应空间可以通过排气单元和至少一个环之间的第一通道与排气单元的排气空间连通，并且当基板支撑单元向上移动时，至少一个环可以构造成与基板支撑单元表面接触，并且随着基板支撑单元的竖直移动而上下移动。根据基板处理设备的示例，在基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体可以通过第二通道传输到排气单元，并且第一通道和第二通道可以被至少一个环分离。根据基板处理设备的另一示例，基板处理设备还可以包括支撑件，其构造为支撑处理单元和排气单元，至少一个环可以包括外环，第一通道可以在排气单元和外环之间，并且第二通道可以在外环和支撑件之间。根据基板处理设备的示例，至少一个环还可以包括流动控制环，其设置在外环和基板支撑单元之间。根据基板处理设备的另一示例，至少一个环可以包括：外环，其设置成围绕基板支撑单元；以及设置在基板支撑单元和外环之间的流动控制环，其中第一通道可以在排气单元和流动控制环之间，并且第二通道可以在流动控制环和外环之间。根据一个或多个实施例，一种基板处理设备包括：基板支撑单元，其构造成可沿第一方向移动；设置成围绕基板支撑单元的至少一个环；以及基板支撑单元上的处理单元，其中至少一个环可以构造成通过基板支撑单元在第一方向上的移动而在与第一方向不同的第二方向上移动。根据基板处理设备的示例，基板支撑单元上的反应空间中的第一气体通过第一通道排出，基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道排出，并且第一通道和第二通道可以被至少一个环分离。根据基板处理设备的另一示例，至少一个环可以构造为在基板支撑单元沿第一方向移动时接触基板支撑单元，并且可以构造为通过当基板支撑单元在与至少一个环接触的同时继续沿第一方向移动时所产生的力而沿第二方向移动的同时自对准。附图说明通过以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的上述及其他方面、特征和优点将更加明显，其中：图1和2是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图3至5是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图6是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图7和8是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图9至11是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图12至14是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图15是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图16是图15的基板处理设备的局部放大图；图17是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图18是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图19是图18的基板处理设备的局部放大图；图20和21是根据本专利技术构思的实施例的基板处理设备的视图；图22是用于说本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：/n基板支撑单元；/n围绕基板支撑单元的至少一个环；/n基板支撑单元上的处理单元；以及/n排气单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，/n其中，所述反应空间中的第一气体通过第一通道传输到排气单元，/n所述基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道传输到排气单元，并且/n所述第一通道和第二通道被所述至少一个环分离。/n

【技术特征摘要】
20191129 US 62/942,0381.一种基板处理设备，包括：
基板支撑单元；
围绕基板支撑单元的至少一个环；
基板支撑单元上的处理单元；以及
排气单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，
其中，所述反应空间中的第一气体通过第一通道传输到排气单元，
所述基板支撑单元下方的下部空间中的第二气体通过第二通道传输到排气单元，并且
所述第一通道和第二通道被所述至少一个环分离。


2.根据权利要求1所述的基板处理设备，
其中，所述至少一个环包括：
围绕所述基板支撑单元的外环；以及
在所述基板支撑单元和外环之间的流动控制环。


3.根据权利要求2所述的基板处理设备，
其中，所述第一通道和第二通道被所述外环分离。


4.根据权利要求3所述的基板处理设备，
其中，所述流动控制环包括：
第一部分，其与所述基板支撑单元的至少一部分重叠；
第二部分，其沿着基板支撑单元的侧面从所述第一部分延伸；以及
第三部分，其从所述第二部分与所述外环的至少一部分重叠。


5.根据权利要求4所述的基板处理设备，
其中，所述排气单元和外环中的至少一个包括弯曲结构，
所述流动控制环的第二部分和外环彼此分开以形成空间，并且
所述弯曲结构构造成有助于将位于所述空间中的反应气体排出到第一通道。


6.根据权利要求3所述的基板处理设备，还包括：
支撑件，其构造为支撑所述处理单元和排气单元，
所述第一通道形成在所述排气单元和外环之间，并且
所述第二通道形成在所述外环和支撑件之间。


7.根据权利要求3所述的基板处理设备，
其中，所述基板支撑单元构造成可竖直移动，并且
随着基板支撑单元向上移动所述流动控制环与基板支撑单元和外环表面接触，并根据基板支撑单元的竖直移动而上下移动。


8.根据权利要求7所述的基板处理设备，
其中，所述第一通道的排气效率和所述第二通道的排气效率随所述基板支撑单元的竖直移动的程度而变化。


9.根据权利要求2所述的基板处理设备，
其中，所述第一通道和第二通道被所述流动控制环分离。


10.根据权利要求9所述的基板处理设备，
其中，所述流动控制环包括：
第一部分，其与所述外环的至少一部分重叠；以及
第二部分，其沿着所述基板支撑单元的侧面从所述第一部分延伸。


11.根据权利要求10所述的基板处理设备，还包括：
支撑件，其构造为支撑所述处理单元和排气单元，
其中，所述第一通道在所述排气单元和流动控...

【专利技术属性】
技术研发人员：文炯哲，郑元基，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL