一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置及其应用制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置及其应用，包括蒸发腔与存储腔；所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；所述蒸发腔内设置有蒸发源以及用于放置坩埚的凹槽；所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输；所述坩埚为圆台状坩埚。本发明专利技术通过存储腔的设置，实现在真空环境下对坩埚进行更换，从而实现多种材料的交替镀膜，有利于实现多种材料对同一基片的真空镀膜，且能够完全避免材料的交叉污染问题。

【技术实现步骤摘要】
一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置及其应用
本专利技术属于镀膜
，涉及一种镀膜装置，尤其涉及一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置及其应用。
技术介绍
传统材料研究，一次实验制备一个样品，因此材料研发周期长。高通量材料芯片技术借鉴制造集成电路芯片的掩膜技术，在一块基底上一次实验可以制备成千上万种不同组分的材料，并快速表征成分、结构、物相，能大幅度缩短了新材料的研发周期。高通量材料芯片技术已经成为材料研发的一种最重要方法。高通量材料芯片技术通常需要使用多种材料交替镀膜。目前电子束蒸发使用的蒸发源可以同时放多种材料，蒸发源有一个带缺口的挡板，当某种材料需要蒸发时，电子束蒸发源通过旋转把需要蒸发的材料旋转到挡板缺口下，电子束加热在挡板缺口下的材料，从而蒸发镀膜。其它的材料被挡板遮挡避免由于蒸发产生材料之间的交叉污染。虽然电子束蒸发源可以同时放多种材料，但是还是有限的，如果需要变换或添加材料时还需要打破真空开腔体。并且在镀膜过程中，蒸发的材料会沉积在挡板缺口边缘；如果不及时开真空腔体清理挡板缺口边缘沉积的材料，缺口边缘沉积的材料就本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置包括蒸发腔与存储腔；/n所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；/n所述蒸发腔内设置有蒸发源以及用于放置坩埚的凹槽；/n所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输；/n所述坩埚为圆台状坩埚。/n

【技术特征摘要】
1.一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置包括蒸发腔与存储腔；
所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；
所述蒸发腔内设置有蒸发源以及用于放置坩埚的凹槽；
所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输；
所述坩埚为圆台状坩埚。


2.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述坩埚存储架包括支撑板、设置于支撑板上的坩埚支架以及设置于支撑板底部的支撑轴；所述支撑轴穿设于存储腔；所述支撑轴用于坩埚支架沿支撑轴的轴向位移和/或坩埚支架沿支撑轴的轴向旋转；
优选地，所述坩埚支架包括至少1层坩埚存储台；所述坩埚存储台用于放置圆台状坩埚；所述坩埚存储台通过支撑柱支撑；
优选地，所述坩埚存储台设置有放置圆台状坩埚的至少2个通孔。


3.根据权利要求1或2所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述机械手包括第一位移件与第二位移件；
所述第一位移件穿设于存储腔，所述第一位移件的轴向与支撑轴的轴向平行，第一位移件的轴向与第二位移件的轴向垂直；
所述第一位移件带动第二位移件沿第一位移件的轴向位移和/或带动第二位移件沿第一位移件的轴向旋转；所述第二位移件用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输。


4.根据权利要求1-3任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚为单层坩埚；
所述圆台状坩埚放置于凹槽时，圆台状坩埚高出凹槽。


5.根据权利要求1-3任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚为单层坩埚；
所述圆台状坩埚放置于凹槽时，圆台状坩埚不高出凹槽；
所述凹槽的底部设置有至少3个用于穿过顶针的通孔；所述顶针用于穿过通孔顶起圆台状坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭鸿杰，杨露明，冯秋洁，
申请(专利权)人：宁波星河材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33