用于替换坩埚的蒸发沉积系统技术方案

本文披露了一种用于替换坩埚的蒸发沉积系统，所述蒸发沉积系统包括：真空腔室，所述真空腔室被配置为容纳基板；蒸发源，所述蒸发源被配置为供应气相沉积材料至基板；多个移动腔室，每个移动腔室被配置为沿着轨道移动并且容纳蒸发源；和连接腔室，所述连接腔室被配置为连接移动腔室和真空腔室，其中每个移动腔室的前表面具有第一开口和第一开关阀，气相沉积材料通过所述第一开口移动至连接腔室中，并且第一开关阀打开和关闭第一开口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于替换坩埚的蒸发沉积系统相关申请的交叉引用本申请是基于于2018年10月24日提交的韩国专利申请第2018-0127647号并且主张所述申请的优先权的权益，通过引用将所述申请的整体内容结合在此。
本公开内容涉及用于替换坩埚的蒸发沉积系统，并且更具体地，涉及用于通过蒸发有机材料、无机材料、金属等以在基板表面上形成薄膜来替换坩埚的蒸发沉积系统。
技术介绍
蒸发器是一种通过使用诸如化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)、物理气相沉积(physicalvapordeposition；PVD)、蒸发沉积等的方法在基板表面上形成薄膜的装置，所述基板诸如用于制造半导体的晶片、用于制造液晶显示器(liquidcrystaldisplay；LCD)的基板、用于制造有机发光二极管(organiclightemittingdiode；OLED)的基板等。此外，在用于制造OLED的基板的情况下，在沉积材料的沉积中采用通过蒸发有机材料、无机材料、金属等在基板表面上形成薄膜的工艺。在其中执行沉积工艺的真空腔室中，可提供蒸发源、玻璃基板、掩模、对准装置等。通过蒸发沉积材料(蒸发材料)形成薄膜的OLED蒸发器可包括其中垂直装载沉积基板的沉积腔室、安装在沉积腔室内部并且加热和蒸发沉积材料以便相对于基板蒸发沉积材料的源，其中所述沉积材料被蒸发以在基板表面上形成薄膜。此外，所述源可包括容纳沉积材料的蒸发容器(坩埚)、加热蒸发容器的加热器、耦接至蒸发容器的管件、朝向基板突出并且与管件连通的多个喷嘴。在OLED基板上沉积沉积材料时存在各种问题。作为一实例，取决于蒸发容器的容量，沉积材料受限地容纳在蒸发容器之内，其中因为蒸发容器的容量小于用于在大型基板上以所需水平形成薄膜的沉积材料的总量，所以坩埚应替换几次至几十次，以便将沉积材料的薄膜在大型基板上沉积到所需水平。所述源加热和蒸发真空腔室中的沉积材料，但是坩埚替换是在真空腔室之外进行，并且因此将多个源交替取出几次至几十次并且随后在坩埚替换之后重新装载所述源会花费大量能量和时间。
技术实现思路
鉴于上文，本公开内容的目的是提供一种用于替换坩埚的蒸发沉积系统，所述系统使用最少的源在大型基板上沉积薄膜，并且促进坩埚替换。根据本公开内容的一个实施方式，提供了一种用于替换坩埚的蒸发沉积系统，所述系统包括：真空腔室，所述真空腔室被配置为容纳基板；蒸发源，被配置为供应气相沉积材料至基板；多个移动腔室，每个腔室被配置为容纳蒸发源并且沿着轨道移动；和连接腔室，所述连接腔室被配置为连接移动腔室和真空腔室，其中每个移动腔室的前表面具有第一开口和第一开关阀，气相沉积材料通过所述第一开口移动至连接腔室中，并且第一开关阀打开和关闭第一开口。连接腔室具有第一入口，移动腔室通过第一入口进出连接腔室，并且第一接触构件可设置在第一入口中，所述第一接触构件与移动腔室的外表面选择性地接触。连接壳体可分别在移动方向上耦接至每个移动腔室的两个端部，多个移动腔室可通过连接壳体连接以整体地移动，连接腔室具有第一入口，移动腔室和移动壳体可通过第一入口进出连接腔室，并且第一接触构件可设置在第一入口中，所述第一接触构件与连接壳体的外表面选择性地紧密接触。第二开口可分别在移动方向上设置于每个移动腔室的两个端部，并且每个连接壳体具有打开和关闭第二开口的第二开关阀。蒸发源可包括：分配管，所述分配管被配置为通过喷嘴喷射气相沉积材料；蒸发坩埚，所述蒸发坩埚耦接至分配管并且配置为容纳气相沉积材料；支撑件，所述支撑件可移动地安装至轨道；和致动器，所述致动器安装在支撑件上以升高和降低蒸发坩埚，并且所述蒸发坩埚可通过第二开口进入和离开。在移动腔室中，分隔壁可被设置在分配管与蒸发坩埚之间的移动腔室的每个腔室中，分配管可通过穿过分隔壁的连接部耦接至蒸发坩埚，并且闸阀(gatevalve)可设置在连接部中。连接腔室具有面向移动腔室的前表面的第二入口，并且第二接触构件可设置在第二入口中，所述第二接触构件与移动腔室的前表面选择性地紧密接触。连接壳体可分别在移动方向上耦接至每个移动腔室的两个端部，多个移动腔室可通过连接壳体连接以整体地移动，连接腔室具有第二入口，所述第二入口面向移动腔室和连接腔室的前表面，并且第二接触构件可设置在第二入口中，所述第二接触腔室与移动腔室和连接壳体的前表面选择性地紧密接触。每个移动腔室的后表面具有：第三开口，蒸发源的蒸发坩埚通过所述第三开口进出每个移动腔室；和第三开关阀，所述第三开关阀打开和关闭第三开口。真空腔室具有：第四开口，真空腔室通过所述第四开口与连接腔室连通；和第四开关阀，所述第四开关阀打开和关闭所述第四开口。根据根据本公开内容的示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统，可以使用最少的源在大型基板上沉积薄膜并且可以通过沿着轨道移动多个移动腔室来促进坩埚替换，每个移动腔室容纳蒸发源，并且通过连接腔室将移动腔室和真空腔室连接。附图说明图1至图3是根据本公开内容的示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统的示意图；图4A和图4B是根据本公开内容的示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统的示意性侧视图；图5至图7是根据本公开内容的另一示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统的示意图；图8A和图8B是根据本公开内容的另一示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统的示意性侧视图；和图9是根据本公开内容的又一示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统的示意图。具体实施方式在下文中，将参照附图来具体地描述本公开内容的示例性实施方式，以便更详细地描述本公开内容。在整个说明书中，相似的元件符号表示相似的元件。图1至图3是根据本公开内容的示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统的示意图，并且图4A和图4B是根据本公开内容的示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统的示意性侧视图。如图1至图4中所示，根据本公开内容的示例性实施方式用于替换坩埚的蒸发沉积系统10的特征在于，分别容纳蒸发源200的多个移动腔室300选择性地连接至容纳基板1的真空腔室100，并且蒸发沉积系统10包括真空腔室100、蒸发源200、移动腔室300和连接腔室400。根据本公开内容的示例性实施方式的用于替换坩埚的蒸发沉积系统10可通过控制器(未示出)自动地控制。如图1至图3中所示，真空腔室100被配置为在所述腔室中形成真空状态，并且在真空腔室100中提供用于输送基板1的输送轨道120。因为用于输送基板1的输送轨道120是在韩国专利待审公开第2018-0005285号中披露的众所周知的技术，因此将省略所述技术的详细描述。如图1至图3中所示，在真空腔室100中以直立状态提供基板1。在真空腔室100中，在面向基板1的正面的壁中设置第四开口。第四开口是与连接腔室400连通的部分，并且通过第四开关阀V4打开或关闭。尽管没有给第四开口提供元件符本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于替换坩埚的蒸发沉积系统，包括：/n真空腔室，所述真空腔室被配置为容纳基板；/n蒸发源，所述蒸发源被配置为供应气相沉积材料至所述基板：/n多个移动腔室，每个移动腔室被配置为沿着轨道移动并且被配置为容纳所述蒸发源；和/n连接腔室，所述连接腔室被配置为将所述移动腔室和所述真空腔室连接，/n其中每个所述移动腔室的前表面具有：第一开口，气相沉积材料通过所述第一开口移动至所述连接腔室中；和第一开关阀，所述第一开关阀打开和关闭所述第一开口。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181024 KR 10-2018-01276471.一种用于替换坩埚的蒸发沉积系统，包括：
真空腔室，所述真空腔室被配置为容纳基板；
蒸发源，所述蒸发源被配置为供应气相沉积材料至所述基板：
多个移动腔室，每个移动腔室被配置为沿着轨道移动并且被配置为容纳所述蒸发源；和
连接腔室，所述连接腔室被配置为将所述移动腔室和所述真空腔室连接，
其中每个所述移动腔室的前表面具有：第一开口，气相沉积材料通过所述第一开口移动至所述连接腔室中；和第一开关阀，所述第一开关阀打开和关闭所述第一开口。


2.如权利要求1所述的蒸发沉积系统，
其中所述连接腔室具有第一入口，所述移动腔室通过所述第一入口进出所述连接腔室，并且
其中第一接触构件设置在所述第一入口中，所述第一接触构件与所述移动腔室的外表面选择性地紧密接触。


3.如权利要求1至2中任一项所述的蒸发沉积系统，其中：
连接壳体在移动方向上分别耦接至每个所述移动腔室的两个端部；
所述多个移动腔室通过所述连接壳体连接以整体地移动；
所述连接腔室具有第一入口，所述移动腔室和所述连接壳体通过所述第一入口进出所述连接腔室；和
第一接触构件设置在所述第一入口中，所述第一接触构件与所述连接壳体的外表面紧密接触。


4.如权利要求3所述的蒸发沉积系统，
其中第二开口分别在所述移动方向上设置在每个所述移动腔室的两个端部中，并且
其中每个所述连接壳体具有打开和关闭所述第二开口的第二开关阀。


5.如权利要求4所述的蒸发沉积系统，其中所述蒸发源包括：
分配管，所述分配管配置为通过喷嘴喷射所述气相沉积材料；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金英年，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US