静电卡盘及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种静电卡盘以半导体加工设备，静电卡盘包括绝缘层和温度调节结构；其中，绝缘层中设置有直流电极，用于静电吸附置于绝缘层上的被加工工件；温度调节结构包括设置在绝缘层底部的绝缘基体，绝缘基体中设置有对地悬浮的热交换部件，热交换部件包括自绝缘基体的上表面暴露出来的接触面，接触面与绝缘层的下表面相接触，用以通过热传导控制被加工工件的温度。本发明专利技术提出的静电卡盘及半导体加工设备，其能够减小直流电极的对地电容，以减小在对地电容上的功率损耗，提高工艺效率。

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种静电卡盘及半导体加工设备。
技术介绍
目前，等离子体浸没离子注入技术广泛地应用于集成电路或微机电系统器件的制造工艺中。具体的，等离子体浸没离子注入技术是通过应用高电压脉冲直流或纯直流电源，将等离子体中的加速离子作为掺杂物注入合适的基体或置有电极的半导体芯片的靶的一种表面改性技术。由于等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子在下偏压的作用下到达晶圆表面，和晶圆相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应,从而使材料表面性能获得变化。在进行等离子体浸没离子注入工艺时，晶圆一般由静电卡盘进行固定。但对于现有的静电卡盘结构，其由依次设置的直流电极、加热器和铝基体组成，由于铝基体通过腔室接地，直流电极与铝基体的距离较近，因此现有的静电卡盘的对地电容较大。但等离子体浸没离子注入技术需要静电卡盘具有尽可能小的对地电容，因此如何减少静电卡盘的对地电容成为了本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例旨在至少解决现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电卡盘，其特征在于，包括绝缘层和温度调节结构；其中，所述绝缘层中设置有直流电极，用于静电吸附置于所述绝缘层上的被加工工件；/n所述温度调节结构包括设置在所述绝缘层底部的绝缘基体，所述绝缘基体中设置有对地悬浮的热交换部件，所述热交换部件包括自所述绝缘基体的上表面暴露出来的接触面，所述接触面与所述绝缘层的下表面相接触，用以通过热传导控制所述被加工工件的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，其特征在于，包括绝缘层和温度调节结构；其中，所述绝缘层中设置有直流电极，用于静电吸附置于所述绝缘层上的被加工工件；
所述温度调节结构包括设置在所述绝缘层底部的绝缘基体，所述绝缘基体中设置有对地悬浮的热交换部件，所述热交换部件包括自所述绝缘基体的上表面暴露出来的接触面，所述接触面与所述绝缘层的下表面相接触，用以通过热传导控制所述被加工工件的温度。


2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述绝缘基体上设置有凹槽，且所述凹槽的开口位于所述绝缘基体的上表面；所述热交换部件设置在所述凹槽中，所述热交换部件的上表面用作所述接触面与所述绝缘层的下表面接触；
并且，所述热交换部件与所述凹槽彼此相对的侧面之间具有预设间隙，所述预设间隙的宽度大于所述绝缘基体受热膨胀的变化量。


3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，在所述预设间隙中，以及在所述热交换部件与所述凹槽彼此相对的底面之间填充有可压缩的粘接材料；并且，在所述热交换部件的上表面覆盖有所述可压缩的粘接材料。


4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述粘接材料包括硅脂或聚四氟乙烯。


5.根据权利要求1-4任意一项所述的静电卡盘，其特征在于，所述热交换部件包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂滨，韦刚，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11