半导体器件处理方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件处理方法，包括：提供一半导体器件，所述半导体器件具有相对的待蚀刻面和非蚀刻面；在所述非蚀刻面上形成保护层；将所述半导体器件置于承载装置上，使所述待蚀刻面朝上，并将所述半导体器件的边缘夹设于多个插销之间；旋转所述承载装置，并向所述待蚀刻面喷洒蚀刻液，对所述待蚀刻面蚀刻；去除所述保护层；其中，所述保护层不溶于所述蚀刻液。本发明专利技术的半导体器件处理方法，由于在非蚀刻面上形成了保护层，在蚀刻过程中，蚀刻液不能去除该保护层，从而有效避免了蚀刻液流至半导体器件的非蚀刻面边缘而造成该边缘损伤，保证非蚀刻面的结构完整性，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件处理方法
本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及一种半导体器件处理方法。
技术介绍
在半导体器件制造工艺中，一般会去除半导体器件背面适当厚度的膜层，以克服由于膜层厚度产生的应力导致半导体结构缺陷的问题。在采用湿法刻蚀去除半导体器件背面膜层时，由于承载装置的高速旋转，在离心力的作用下，边缘的蚀刻液会渗透至半导体器件正面，导致半导体器件正面产生结构缺陷，降低了产品良率。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的一个主要目在于提供一种半导体器件处理方法，能够有效避免半导体器件在制备过程中形成边缘缺陷，提高半导体器件的良率，有效降低在后续制造工艺中对图案造成损伤。为实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供一种半导体器件处理方法，包括：提供一半导体器件，所述半导体器件具有相对的待蚀刻面和非蚀刻面；在所述非蚀刻面上形成保护层；将所述半导体器件置于承载装置上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件处理方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体器件，所述半导体器件具有相对的待蚀刻面和非蚀刻面；/n在所述非蚀刻面上形成保护层；/n将所述半导体器件置于承载装置上，使所述待蚀刻面朝上，并将所述半导体器件的边缘夹设于多个插销之间；/n旋转所述承载装置，并向所述待蚀刻面喷洒蚀刻液，对所述待蚀刻面蚀刻；/n去除所述保护层；/n其中，所述保护层不溶于所述蚀刻液。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件处理方法，其特征在于，包括：
提供一半导体器件，所述半导体器件具有相对的待蚀刻面和非蚀刻面；
在所述非蚀刻面上形成保护层；
将所述半导体器件置于承载装置上，使所述待蚀刻面朝上，并将所述半导体器件的边缘夹设于多个插销之间；
旋转所述承载装置，并向所述待蚀刻面喷洒蚀刻液，对所述待蚀刻面蚀刻；
去除所述保护层；
其中，所述保护层不溶于所述蚀刻液。


2.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层为多晶硅膜。


3.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层为非晶硅膜。


4.根据权利要求1所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5～15nm。


5.根据权利要求4所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10nm。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述保护层通过等离子体增强化学气相沉积形成。


7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件处理方法，其特征在于，所述去除所述保...

【专利技术属性】
技术研发人员：张健，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34