蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法及肖特基二极管技术

本发明专利技术公开了一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法及肖特基二极管，采用光刻工艺在GaN样品上制备金属Ni腌膜；然后采用感应耦合等离子体干法刻蚀工艺对GaN样品进行刻蚀操作，直到n

【技术实现步骤摘要】
蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法及肖特基二极管
本专利技术属于功率半导体器件
，具体涉及一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法及肖特基二极管。
技术介绍
以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料，凭借其高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度，正迅速成为高频大功率器件的首选材料。尤其在功率二极管整流器件领域更是具有重要的应用前景，肖特基二极管(SBD)作为一种重要的两端电子元件在检波、混频等电路中具有重要的应用。但是目前存在的一个重要问题在于制备的肖特基二极管的反向漏电都普遍较大，使得器件在很低的反向偏压下就发生了提前的预击穿，严重降低了器件的性能和应用，所以如何有效的减小反向漏电对于扩大GaN肖特基二极管的应用极为重要。目前，报道的减小准垂直氮化镓肖特基二极管反向漏电的方法主要有生长SiO2、Si3N4钝化层，但是存在一个问题在于无论是采用PECVD还是电子束蒸镀的钝化层，其生长的质量都无法保证，有些情况下，生长完钝化层的二极管器件的反向漏电反而会变大，造成这一结果的原因就在于SiO2、Si3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法，其特征在于，采用光刻工艺在GaN样品上制备金属Ni腌膜；然后采用感应耦合等离子体干法刻蚀工艺对GaN样品进行刻蚀操作，直到n

【技术特征摘要】
1.蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法，其特征在于，采用光刻工艺在GaN样品上制备金属Ni腌膜；然后采用感应耦合等离子体干法刻蚀工艺对GaN样品进行刻蚀操作，直到n+GaN层；结合电子束工艺在刻蚀完的n+GaN样品上蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层，并在高温N2环境下进行快速热退火处理，以形成欧姆接触；采用光刻和电子束在n-GaN台面上完成Ni/Au肖特基接触的制备；再将spin-onglass旋涂在GaN样品表面，并采用湿法刻蚀工艺进行阴阳极开窗口，漏出电极；最后将GaN样品放入超临界反应釜内，加入异丙醇和去离子水密封后进行反应，得到基于超临界二氧化碳流体的蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，光刻工艺前，先将GaN样品依次在丙酮、异丙醇、去离子水中进行清洗。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，金属Ni腌膜的厚度为150～300nm。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蒸镀Ti/Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿莉，刘江，杨明超，刘卫华，郝跃，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61