具有掺杂区的氮化镓晶体管制造技术

在一些实例中，一种晶体管(100(b))包括：氮化镓(GaN)层(102)；GaN基合金层(106)，其具有顶部侧(103)并安置在所述GaN层上，其中源极(121)、漏极(127)及栅极(125)接触结构由所述GaN层支撑；及第一掺杂区(108)，其定位在漏极接入区(130)中且从所述顶部侧延伸到所述GaN层(102)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有掺杂区的氮化镓晶体管
技术介绍
氮化镓(GaN)基半导体装置提供的特性优于硅基装置。GaN基半导体装置具有较快切换速度及优良的反向恢复性能，其对于低损耗及高效率性能来说是关键的。
技术实现思路
根据一些实例，一种晶体管包括氮化镓(GaN)层；GaN基合金层，其具有顶部侧并安置在所述GaN层上，其中源极、漏极及栅极接触结构由所述GaN层支撑；且第一掺杂区定位在漏极接入区中并从所述顶部侧延伸到所述栅极GaN层中。根据一些实例，一种晶体管包括氮化镓(GaN)层；由所述氮化镓层支撑的GaN基合金层，所述GaN基合金层具有顶部侧；漏极接触结构、栅极接触结构及源极接触结构，其中所述漏极、栅极及源极接触结构由所述镓基合金层支撑；且高掺杂区定位在漏极接入区中，其中所述高掺杂区经配置以防止耗尽区延伸到所述漏极接触区。根据一些实例，一种用于制造晶体管的方法包括获得包含氮化镓(GaN)层、安置在所述GaN层上且具有顶部侧的GaN基合金层的衬底；植入掺杂剂以形成从所述顶部侧延伸到所述漏极接入区中的所述GaN层中的第一掺杂区；及沉积由所述GaN层支撑的源极、漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管，其包括：/n氮化镓GaN层；/nGaN基合金层，其具有顶部侧并安置在所述GaN层上，其中源极、漏极及栅极接触结构由所述GaN层支撑；及/n第一掺杂区，其定位在漏极接入区中并从所述顶部侧延伸到所述GaN层中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181119 US 16/194,7941.一种晶体管，其包括：
氮化镓GaN层；
GaN基合金层，其具有顶部侧并安置在所述GaN层上，其中源极、漏极及栅极接触结构由所述GaN层支撑；及
第一掺杂区，其定位在漏极接入区中并从所述顶部侧延伸到所述GaN层中。


2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一掺杂区接触所述漏极接触结构。


3.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括从所述顶部侧延伸到所述GaN层中的第二掺杂区。


4.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述第二掺杂区接触所述源极接触结构。


5.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括定位在所述顶部侧上的p掺杂GaN层，其中所述栅极接触结构定位在所述p掺杂GaN层上。


6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述GaN基合金层包含Al(X)IN(Y)Ga(1-X-Y)N，其中X及Y分别是铝及铟的浓度。


7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一掺杂区包含硅。


8.一种晶体管，其包括：
氮化镓GaN层；
GaN基合金层，其由所述氮化镓层支撑，所述GaN基合金层具有顶部侧；
漏极接触结构、栅极接触结构及源极接触结构，其中所述漏极、栅极及源极接触结构由所述镓基合金层支撑；及
高掺杂区，其定位在漏极接入区中，其中所述高掺杂区经配置以防止耗尽区延伸到所述漏极接触区。


9.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述GaN基合金层包括Al(X)IN(Y)Ga(1-X-...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东习，J·乔，郝平海，S·彭德哈卡，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US