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在一些实例中，一种晶体管(100(b))包括：氮化镓(GaN)层(102)；GaN基合金层(106)，其具有顶部侧(103)并安置在所述GaN层上，其中源极(121)、漏极(127)及栅极(125)接触结构由所述GaN层支撑；及第一掺杂区(...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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