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本发明公开了一种蓝宝石基GaN准垂直肖特基二极管反向漏电减小方法及肖特基二极管，采用光刻工艺在GaN样品上制备金属Ni腌膜；然后采用感应耦合等离子体干法刻蚀工艺对GaN样品进行刻蚀操作，直到n...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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