降低表面缺陷影响的刻蚀方法技术

本公开实施例公开了一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法。所述方法包括：提供表面包括凸起和/或凹陷的基底结构作为表面缺陷基底；在所述基底结构上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括覆盖所述凸起和/或凹陷的第一表面；所述第一掩膜层还包括平坦的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；在所述平坦的第二表面上形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层和所述第一掩膜层，以形成垂直穿过所述基底结构的凹槽。

【技术实现步骤摘要】
降低表面缺陷影响的刻蚀方法
本公开实施例涉及集成电路领域，尤其涉及一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，通过图案化的掩膜来限定半导体器件的特征尺寸。随着半导体技术的不断发展，半导体器件的特征尺寸越来越小。仅以光刻胶作为刻蚀工艺的掩膜，已不能满足日益发展的技术需求。相关技术中，常需要在待刻蚀器件的表面形成硬掩膜层(HardMask，简称HM)，该硬掩膜层包括硬度较高的材料。在后续以硬掩膜层作为刻蚀掩膜刻蚀器件时，可以减小该刻蚀工艺对硬掩膜层造成的损伤，进而提高掩膜图案的精确度和稳定性。然而，随着半导体器件的特征尺寸进一步减小，如何进一步保证光刻工艺的质量以及器件良率，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本公开实施例提供一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法。根据本公开实施例，提供一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法，所述方法包括：提供表面包括凸起和/或凹陷的基底结构作为表面缺陷基底；在所述基底结构上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括覆盖所述凸起和/或凹陷的第一表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法，其特征在于，包括：/n提供表面包括凸起和/或凹陷的基底结构作为表面缺陷基底；/n在所述基底结构上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括覆盖所述凸起和/或凹陷的第一表面；所述第一掩膜层还包括平坦的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；/n在所述平坦的第二表面上形成第二掩膜层；/n刻蚀所述第二掩膜层和所述第一掩膜层，以形成垂直穿过所述基底结构的凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法，其特征在于，包括：
提供表面包括凸起和/或凹陷的基底结构作为表面缺陷基底；
在所述基底结构上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括覆盖所述凸起和/或凹陷的第一表面；所述第一掩膜层还包括平坦的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；
在所述平坦的第二表面上形成第二掩膜层；
刻蚀所述第二掩膜层和所述第一掩膜层，以形成垂直穿过所述基底结构的凹槽。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜层的硬度大于所述第一掩膜层的硬度。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度介于50nm至400nm之间。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括：旋涂碳。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基底结构上形成第一掩膜层包括：
在所述基底结构上旋涂第一掩膜材料；
对旋涂在所述基底结构上的所述第一掩膜材料进行热处理，以形成所述第一掩膜层。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜材料包括：溶于有机溶剂中的含碳聚合物。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜材料包括：旋涂碳。


8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷鑫，宋豪杰，高倩，袁娜，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42