针对EUV光刻法的SnO制造技术

提供一种改善SnO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】针对EUV光刻法的SnO2表面改性
本文的实施方案涉及半导体衬底处理方法以及设备工具，具体而言，涉及将SnO2表面化学性质改性以增强在极紫外光(EUV)光刻期间的光致抗蚀剂图案稳定性和工艺窗的方法和系统。
技术介绍
半导体电子器件(例如集成电路(IC))通常涉及光刻工艺，以将电路图案从掩模转移至衬底。对器件的更高处理速度和功能的需求要求IC内的特征越来越小以满足关键尺寸(CD)。目前，正在发展具有约13.5nm的辐射波长的极紫外光(EUV)光刻法，以用于大量制造(HVM)，从而实现下一代技术节点所需的关键尺寸目标的需求。发展用于HVM的波长为13.5nm或更低的EUV光刻法所面临的挑战为：改善线宽变动(LWV)和线边缘粗糙度(LER)，以避免图案崩塌并且实现关键尺寸。为实现EUV光刻HVM的关键尺寸而需要改进的主要领域之一是光致抗蚀剂(PR)设计和工艺，其通常为LWR与LER的起因。修改PR涂布工艺以避免图案崩塌的方法需要较高剂量的EUV光，这使得成本增加和产能减少。因此，需要改良的PR涂布方法，通过该方法可实现关键尺寸而不需较大剂量的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其包含：/n将疏水性表面处理化合物引入至处理室中，所述处理室容纳具有SnO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180814 US 16/103,8491.一种方法，其包含：
将疏水性表面处理化合物引入至处理室中，所述处理室容纳具有SnO2层的衬底以进行处理，所述疏水性表面处理化合物对所述SnO2层的表面产生改性作用，从而增加所述表面的疏水性；以及
通过旋转涂覆在所述SnO2层的所述表面上沉积光致抗蚀剂层，对所述SnO2层的所述表面的所述改性作用使得在旋转涂覆期间所述光致抗蚀剂与所述SnO2层之间的接触的粘附性增强。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述改性作用使得在所述旋转涂覆操作之后所述光致抗蚀剂与所述SnO2层之间的接触是直接且连续的。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，与在无所述改性作用的情况下将光致抗蚀剂涂布于所述SnO2层时相比，所述改性作用使得在所述旋转涂覆之后所述光致抗蚀剂的厚度的均匀性更大。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述改性作用在所述SnO2层的所述表面上形成所述疏水性表面处理化合物的涂层，以使所述光致抗蚀剂能够在没有所述光致抗蚀剂与所述涂层之间的中间层的情况下直接沉积于所述SnO2层上。


5.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂与所述SnO2层之间的接触的所述增强的粘附性是由疏水-疏水性分子间力所介导的，与在无所述改性作用的情况下将光致抗蚀剂涂布于所述SnO2层的所述表面时发生的亲水-疏水性分子间力相比，所述疏水-疏水性分子间力在热力学上是更有利的。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述光致抗蚀剂在光刻期间暴露于极紫外(EUV)光时，与所述光致抗蚀剂和所述SnO2层之间存在中间层时相比，所述光致抗蚀剂与所述SnO2层之间的接触的所述增强的粘附性使得从所述SnO2层捕获二次电子的速率更高。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述光致抗蚀剂在光刻期间暴露于EUV光以将图案转移至所述光致抗蚀剂时，与在无所述改性作用的情况下将光致抗蚀剂涂布于所述SnO2层时相比，所述光致抗蚀剂与所述SnO2层之间的接触的所述增强的粘附性使得所述图案转移的分辨率更高。


8.根据权利要求1所述的方法，其中所述疏水性表面处理化合物与所述SnO2层的Sn原子进行反应以形成所述疏水性表面处理化合物的单层。


9.根据权利要求1所述的方法，其中所述疏水性表面处理化合物包含烷氧基和氨基，所述烷氧基与所述SnO2层的所述表面的Sn原子反应以进行所述改性作用，而所述氨基参与与所述光致抗蚀剂的疏水-疏水性交互作用以增加所述表面的疏水性。


10.根据权利要求1所述的方法，其中所述疏水性表面处理化合物是氨基硅烷化合物或氨基锡化合物。


11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述疏水性表面处理化合物为(CH3)2Si[N(CH3)2]2、(CH3)3SiN(CH3)2、(CH3)2Sn[N(CH3)2]2、(CH3)3SiN(CH3)2、HN[Si(CH3)3]2或HN[Sn(CH3)3]2中的一者。


12.根据权利要求1所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿希尔·辛格哈尔，内德·莎玛，达斯汀·扎卡里·奥斯丁，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国;US