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本公开实施例公开了一种降低表面缺陷影响的刻蚀方法。所述方法包括：提供表面包括凸起和/或凹陷的基底结构作为表面缺陷基底；在所述基底结构上形成第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层包括覆盖所述凸起和/或凹陷的第一表面；所述第一掩膜层还包括平坦的第二表...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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